डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 13

1N6660

भाग स्टक: 559

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N7037CCU1

भाग स्टक: 4746

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.22V @ 35A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N6659

भाग स्टक: 4137

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

5962-1621001VXC

भाग स्टक: 4957

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 140V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.08V @ 700mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

5962-1621001QXC

भाग स्टक: 4919

डायोड कन्फिगरेसन: 8 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 140V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.08V @ 700mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

689-3P

भाग स्टक: 4108

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

भाग स्टक: 10437

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

भाग स्टक: 532

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 480A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D100J

भाग स्टक: 3175

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 28A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D20J

भाग स्टक: 3498

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

भाग स्टक: 3829

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

भाग स्टक: 3118

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.8V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D30J

भाग स्टक: 2748

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

भाग स्टक: 1164

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D60J

भाग स्टक: 3356

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

भाग स्टक: 3407

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.2V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D120J

भाग स्टक: 2782

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

भाग स्टक: 739

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 50A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

भाग स्टक: 842

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 400A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D100J

भाग स्टक: 2286

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

भाग स्टक: 179

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D100J

भाग स्टक: 3191

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 28A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D120J

भाग स्टक: 2464

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 53A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D120J

भाग स्टक: 2442

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 53A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D20J

भाग स्टक: 3266

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

भाग स्टक: 3220

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 3.1V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

APT2X101D120J

भाग स्टक: 1994

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 93A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

भाग स्टक: 2375

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

APT2X100D100J

भाग स्टक: 2278

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

भाग स्टक: 14745

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

Microsemi Corporation

APT2X61DQ60J

भाग स्टक: 3789

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

भाग स्टक: 21444

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D60J

भाग स्टक: 4152

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

भाग स्टक: 3296

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.7V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

भाग स्टक: 17440

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

भाग स्टक: 10774

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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