ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 6

LND150N8-G

भाग स्टक: 155053

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

LND150K1-G

भाग स्टक: 187815

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

TN2540N8-G

भाग स्टक: 74252

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 260mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

TP2540N8-G

भाग स्टक: 63450

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 125mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

DN2470K4-G

भाग स्टक: 115852

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 700V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 Ohm @ 100mA, 0V,

इच्छा सुची