ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

Microchip Technology

TN0104N8-G

भाग स्टक: 87217

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 630mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

TN0604N3-G

भाग स्टक: 71131

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 700mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

DN2530N8-G

भाग स्टक: 138406

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 300V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

TN2504N8-G

भाग स्टक: 89487

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 890mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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LND150N3-G-P003

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LND150N3-G-P003

भाग स्टक: 183599

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

DN2540N3-G

भाग स्टक: 97638

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

TN5335N8-G

भाग स्टक: 108979

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 350V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

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VN2106N3-G

भाग स्टक: 187819

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 300mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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VN3205N8-G

भाग स्टक: 68394

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.5A (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V,

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TN5325K1-G

भाग स्टक: 183601

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 150mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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TP5322K1-G

भाग स्टक: 166067

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 220V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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VN2110K1-G

भाग स्टक: 193820

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0702N3-G

भाग स्टक: 65974

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 530mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2V, 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 5V,

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LND01K1-G

भाग स्टक: 142227

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 9V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 330mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 0V,

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TN2640K4-G

भाग स्टक: 43675

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 500mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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VP2106N3-G

भाग स्टक: 146510

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 250mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2222LL-G

भाग स्टक: 174426

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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MIC94030BM4 TR

भाग स्टक: 9877

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 16V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.7V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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MIC94052BC6-TR

भाग स्टक: 9895

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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MIC94053BC6-TR

भाग स्टक: 9815

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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MIC94050BM4 TR

भाग स्टक: 9820

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94051BM4 TR

भाग स्टक: 9843

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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TP5335K1-G

भाग स्टक: 109016

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 350V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 85mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2110K1-G

भाग स्टक: 158520

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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LND250K1-G

भाग स्टक: 182364

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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TN2524N8-G

भाग स्टक: 81176

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 240V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 360mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94052YC6-TR

भाग स्टक: 171800

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94031BM4 TR

भाग स्टक: 9583

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 16V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.7V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2106K1-G

भाग स्टक: 193802

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 280mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94031YM4-TR

भाग स्टक: 9555

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 16V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.7V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3135N8-G

भाग स्टक: 151019

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 350V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 135mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2540N8-G

भाग स्टक: 115855

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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DN3545N8-G

भाग स्टक: 124604

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 450V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA, ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2625K4-G

भाग स्टक: 75520

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.1A (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

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VN2450N8-G

भाग स्टक: 83065

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 250mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

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DN3135K1-G

भाग स्टक: 178009

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 350V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 72mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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