ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

VN2460N3-G-P014

Microchip Technology

VN2460N3-G-P014

भाग स्टक: 77581

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 160mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

इच्छा सुची

DN2535N3-G-P003

Microchip Technology

DN2535N3-G-P003

भाग स्टक: 124618

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 350V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

TP2104K1-G

भाग स्टक: 151643

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 160mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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VN0106N3-G-P003

Microchip Technology

VN0106N3-G-P003

भाग स्टक: 134159

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 350mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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TN0110N3-G-P002

Microchip Technology

TN0110N3-G-P002

भाग स्टक: 96862

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 350mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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VN2222LL-G-P003

Microchip Technology

VN2222LL-G-P003

भाग स्टक: 193763

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TP0610T-G

भाग स्टक: 134146

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

MCP87130T-U/LC

भाग स्टक: 197723

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 43A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3.3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Microchip Technology

VP3203N8-G

भाग स्टक: 62298

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.1A (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 600 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

MCP87018T-U/MF

भाग स्टक: 63090

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3.3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

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Microchip Technology

MIC94053YC6-TR

भाग स्टक: 128534

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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TN0106N3-G-P013

Microchip Technology

TN0106N3-G-P013

भाग स्टक: 112567

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 350mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

DN1509K1-G

भाग स्टक: 160789

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 90V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

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Microchip Technology

MIC94030YM4-TR

भाग स्टक: 142413

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 16V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.7V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2460N8-G

भाग स्टक: 81138

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 200mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

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VN0550N3-G-P013

Microchip Technology

VN0550N3-G-P013

भाग स्टक: 63426

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

इच्छा सुची

VN2222LL-G-P013

Microchip Technology

VN2222LL-G-P013

भाग स्टक: 193747

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MCP87130T-U/MF

भाग स्टक: 121994

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 43A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3.3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

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Microchip Technology

DN3765K4-G

भाग स्टक: 37252

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 300mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

VN0606L-G-P003

भाग स्टक: 77502

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 330mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

DN2540N3-G-P003

भाग स्टक: 118644

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 120mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2450N8-G

भाग स्टक: 136754

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 230mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

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Microchip Technology

TP2640LG-G

भाग स्टक: 49827

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 86mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

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VN3205N3-G-P002

Microchip Technology

VN3205N3-G-P002

भाग स्टक: 69774

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.2A (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

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TP2104N3-G-P003

Microchip Technology

TP2104N3-G-P003

भाग स्टक: 139528

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 175mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3525N8-G

भाग स्टक: 138382

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 360mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

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Microchip Technology

VN2410L-G-P013

भाग स्टक: 96918

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 240V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 190mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2510N8-G

भाग स्टक: 91780

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 730mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2501N8-G

भाग स्टक: 81098

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 18V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 400mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.2V, 3V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.5 Ohm @ 200mA, 3V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

MIC94050YM4-TR

भाग स्टक: 157804

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 6V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G-P002

भाग स्टक: 174354

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 310mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची

Microchip Technology

LP0701LG-G

भाग स्टक: 51372

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 16.5V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 700mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2V, 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

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TN0104N3-G-P003

Microchip Technology

TN0104N3-G-P003

भाग स्टक: 96865

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 450mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G-P013

भाग स्टक: 174393

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 310mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2435N8-G

भाग स्टक: 74270

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 350V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 365mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 3V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3145N8-G

भाग स्टक: 136772

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 450V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA (Tj), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 0V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 Ohm @ 100mA, 0V,

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