मेमोरी साइज: 18K (512 x 18 x 2), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 95mA,
मेमोरी साइज: 144K (8K x 18)(16K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 18K (512 x 18 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 14ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 95mA,
मेमोरी साइज: 64 (16 x 4), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 30ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 125mA,
मेमोरी साइज: 576K (16K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 144K (8K x 18)(16K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 18K (512 x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 13ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 144K (8K x 18)(16K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 36K (1K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (64 x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 36K (2K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 33.4MHz, पहुँच समय: 18ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 36K (1K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 2.25M (32K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (64 x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 5M (128K x 20 x 2)(128K x 10 x 4), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 150MHz, पहुँच समय: 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 350mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 15MHz, पहुँच समय: 50ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 85mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (256 x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 11ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 30mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 85mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (128K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 25mA,
मेमोरी साइज: 18M (512K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V,
मेमोरी साइज: 144K (16K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 55mA,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 20mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 11ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 20mA,
