मेमोरी साइज: 36K (1K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 13ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 2.25K (64 x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 1mA,
मेमोरी साइज: 2.5M (16K x 40 x 4), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 200MHz, पहुँच समय: 3.6ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 260mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (64 x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 1mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 22.2MHz, पहुँच समय: 35ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (16K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (16K x 72), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 75mA,
मेमोरी साइज: 36K (512 x 72), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 75mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 18K (1K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 95mA,
मेमोरी साइज: 18K (512 x 18 x 2), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 95mA,
मेमोरी साइज: 18K (512 x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 13ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 4.5K (256 x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 25MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 9K (512 x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 288K (8K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 9K (512 x 18), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 18K (1K x 18), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 30ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 1.125K (64 x 18), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 18ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40µA,
मेमोरी साइज: 4.5K (256 x 18), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 18K (512 x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 11ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 288K (8K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 36K (2K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 67MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 576K (32K x 18)(64K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 576K (32K x 18)(64K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 65mA,
मेमोरी साइज: 144K (8K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 45mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 65mA,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 65mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (256 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 65mA,
मेमोरी साइज: 72K (8K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 11ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 20mA,
मेमोरी साइज: 576 (64 x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (256 x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 45mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 65mA,
