मेमोरी साइज: 576K (64K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 22.22MHz, पहुँच समय: 35ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 15MHz, पहुँच समय: 50ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 36K (4K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 120mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (16K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 36K (1K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 28.5MHz, पहुँच समय: 25ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 2.25K (64 x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 1mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (64 x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 1mA,
मेमोरी साइज: 2.5M (64K x 40), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 250MHz, पहुँच समय: 3.2ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 2.25M (64K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 144K (2K x 72), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 75mA,
मेमोरी साइज: 36K (512 x 72), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 75mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 36 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (32K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (512 x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 15MHz, पहुँच समय: 50ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 80mA,
मेमोरी साइज: 18K (512 x 18 x 2), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 80MHz, पहुँच समय: 9ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 95mA,
मेमोरी साइज: 288K (16K x 18)(32K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 4.5K (256 x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 15ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 18K (1K x 9 x 2), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 16.7MHz, पहुँच समय: 45ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 67MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 1.125K (64 x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 67MHz, पहुँच समय: 12ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 400µA,
मेमोरी साइज: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 9K (512 x 18), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 40MHz, पहुँच समय: 18ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40µA,
मेमोरी साइज: 576K (32K x 18)(64K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 36K (2K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 288K (16K x 18)(32K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (64K x 18)(128K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 288K (16K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 30mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 85mA,
मेमोरी साइज: 9K (1K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 72M (2M x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V,
मेमोरी साइज: 18K (2K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 50MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 55mA,
मेमोरी साइज: 288K (32K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 144K (16K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 25mA,
मेमोरी साइज: 18K (1K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 45mA,
