Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

RB731XNTR
Rohm Semiconductor

RB731XNTR

भाग स्टक: 184649

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 370mV @ 1mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
RBQ30NS65AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ30NS65AFHTL

भाग स्टक: 114

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 65V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 690mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
VS-20CTQ150STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRLHM3

भाग स्टक: 54892

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
VS-6CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH01-M3/86A

भाग स्टक: 137911

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
VS-52CPQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-52CPQ030-N3

भाग स्टक: 11824

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
VS-12CWQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRLHM3

भाग स्टक: 65197

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
SS10P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P4CHM3_A/H

भाग स्टक: 176200

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
CDSV6-4148-G
Comchip Technology

CDSV6-4148-G

भाग स्टक: 151253

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
CDSV6-4448SD-G
Comchip Technology

CDSV6-4448SD-G

भाग स्टक: 112323

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
CDBD1060-G
Comchip Technology

CDBD1060-G

भाग स्टक: 138989

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
CDBV3-54C-G
Comchip Technology

CDBV3-54C-G

भाग स्टक: 191496

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
CDSV3-99-G
Comchip Technology

CDSV3-99-G

भाग स्टक: 146387

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
CDBV3-40A-G
Comchip Technology

CDBV3-40A-G

भाग स्टक: 154237

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
MBR25150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25150CT C0G

भाग स्टक: 80

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
SRF1650 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1650 C0G

भाग स्टक: 170

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
SRS2050 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2050 MNG

भाग स्टक: 91

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBR3035PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3035PT C0G

भाग स्टक: 111

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRS1050CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1050CT MNG

भाग स्टक: 158

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRS2045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CT MNG

भाग स्टक: 117

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRF1035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035CTHC0G

भाग स्टक: 149

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
SRF1630HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1630HC0G

भाग स्टक: 130

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
HER1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1607G C0G

भाग स्टक: 150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
SRS1690 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1690 MNG

भाग स्टक: 161

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRS15100CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT-Y MNG

भाग स्टक: 146

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRF3090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3090CTHC0G

भाग स्टक: 156

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRF2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2060CTHC0G

भाग स्टक: 112

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBR30L45CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L45CTHC0G

भाग स्टक: 160

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
HER1603PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1603PT C0G

भाग स्टक: 79

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRF2560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2560CTHC0G

भाग स्टक: 146

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 12.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
UGF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1606G C0G

भाग स्टक: 150

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBRS2590CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2590CTHMNG

भाग स्टक: 102

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBR3045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CT C0G

भाग स्टक: 116

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
TRS16N65D,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

भाग स्टक: 10959

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation

MBR3060FCTE3/TU

भाग स्टक: 83401

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
STTH10LCD06CT
STMicroelectronics

STTH10LCD06CT

भाग स्टक: 64477

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
MSRT20080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

भाग स्टक: 1478

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि