डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

MF200C12F2-BP

भाग स्टक: 114

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.8V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VI40100G-E3/4W

भाग स्टक: 68162

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V10D120CHM3/I

भाग स्टक: 150646

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 940mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V40PW15C-M3/I

भाग स्टक: 118627

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.45V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20DM120C-M3/I

भाग स्टक: 66269

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VF20M120C-M3/4W

भाग स्टक: 123772

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 910mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V30DM60CL-M3/I

भाग स्टक: 56

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V40DM150C-M3/I

भाग स्टक: 148

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.47V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

DD180N16SHPSA1

भाग स्टक: 66

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 192A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.39V @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DD171N12KKHPSA1

भाग स्टक: 71

DD380N16KHPSA1

भाग स्टक: 60

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 380A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 1600A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DD700N22KHPSA3

भाग स्टक: 86

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 700A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.36V @ 2200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

M5060THC1600

भाग स्टक: 1311

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MSCD60-16

भाग स्टक: 3713

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

STPS20200CT

भाग स्टक: 22783

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

STPS30150CG-TR

भाग स्टक: 50953

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

STPS20150CR

भाग स्टक: 144024

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

LQA20N200C

भाग स्टक: 34756

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GHXS045A120S-D4

भाग स्टक: 845

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 45A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 45A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR30035CT

भाग स्टक: 1406

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR50040CT

भाग स्टक: 1198

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR40020CT

भाग स्टक: 1580

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FST12020

भाग स्टक: 1534

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURTA30060R

भाग स्टक: 1021

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MURT30040R

भाग स्टक: 1168

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURT10005

भाग स्टक: 1314

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURT30005

भाग स्टक: 1154

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURTA20040R

भाग स्टक: 971

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBR20020CTR

भाग स्टक: 1511

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR500200CT

भाग स्टक: 1191

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MUR10005CTR

भाग स्टक: 1524

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

CDSV6-4448TI-G

भाग स्टक: 110065

डायोड कन्फिगरेसन: 3 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MDD255-12N1

भाग स्टक: 664

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 270A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 600A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

NSR30CM3T5G

भाग स्टक: 136653

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

UGF1004GHC0G

भाग स्टक: 76

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SDUR3040CT

भाग स्टक: 169247

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),