डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

FST10020

भाग स्टक: 1563

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

भाग स्टक: 1446

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

भाग स्टक: 1286

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 125A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

भाग स्टक: 3213

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.35V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

भाग स्टक: 2552

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 160A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MURT20040

भाग स्टक: 1224

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

भाग स्टक: 1264

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

भाग स्टक: 795

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

भाग स्टक: 1429

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

भाग स्टक: 1148

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

भाग स्टक: 1070

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

भाग स्टक: 1265

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

भाग स्टक: 1842

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

भाग स्टक: 1542

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060C-M3/4W

भाग स्टक: 101161

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045C-M3/4W

भाग स्टक: 129871

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100G-E3/4W

भाग स्टक: 75843

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12WM100C-M3/I

भाग स्टक: 129155

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-E3/4W

भाग स्टक: 55592

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D120CHM3/I

भाग स्टक: 60897

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 960mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120C-E3/4W

भाग स्टक: 78055

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT10202C-M3/4W

भाग स्टक: 110034

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW15C-M3/I

भाग स्टक: 198027

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.24V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

M3060C-E3/4W

भाग स्टक: 92762

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM10C-M3/I

भाग स्टक: 165903

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 820mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-E3/4W

भाग स्टक: 124012

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Micro Commercial Co

MF150C06F2-BP

भाग स्टक: 2098

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Power Integrations

LQA30T150C

भाग स्टक: 43099

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Power Integrations

LQA30B200C

भाग स्टक: 26345

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

DD98N25KHPSA1

भाग स्टक: 59

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2500V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 98A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.53V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

DD89N18KHPSA1

भाग स्टक: 110

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 89A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

STMicroelectronics

STPS640CBY-TR

भाग स्टक: 109388

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 630mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

STMicroelectronics

STPS3045CGY-TR

भाग स्टक: 71830

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

SMC Diode Solutions

MBRF4080CTL

भाग स्टक: 180945

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

SMC Diode Solutions

MBRF3040CT

भाग स्टक: 172747

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090 C0G

भाग स्टक: 130

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि