डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

V40DM120C-M3/I

भाग स्टक: 40287

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 890mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V40PWM45C-M3/I

भाग स्टक: 118574

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 670mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR2090CT-E3/4W

भाग स्टक: 72411

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20DM120CHM3/I

भाग स्टक: 116209

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20M120C-M3/4W

भाग स्टक: 114616

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 910mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

VIT3060C-E3/4W

भाग स्टक: 129940

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V30D60CL-M3/I

भाग स्टक: 43642

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20DM120HM3/I

भाग स्टक: 146854

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

V20PWM15C-M3/I

भाग स्टक: 165966

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.24V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR40040CT

भाग स्टक: 1213

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURT40060

भाग स्टक: 1060

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MUR10060CT

भाग स्टक: 1572

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR2X120A080

भाग स्टक: 3245

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR120150CT

भाग स्टक: 1581

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR40060CTR

भाग स्टक: 1274

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRT30035

भाग स्टक: 1119

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR30060CTR

भाग स्टक: 1410

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURT40005

भाग स्टक: 1095

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR2X160A200

भाग स्टक: 2399

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 160A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR300100CTR

भाग स्टक: 1423

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MURTA60040

भाग स्टक: 1008

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRT40040R

भाग स्टक: 1070

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRT120200R

भाग स्टक: 1852

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MUR30040CT

भाग स्टक: 1392

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FST12060

भाग स्टक: 1605

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SDUR3020CT

भाग स्टक: 171861

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

STPS40SM60CT

भाग स्टक: 30771

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 625mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

STPS2045CH

भाग स्टक: 198811

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MD16130S-BM2MM

भाग स्टक: 1415

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 130A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 400A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

HERF1005G C0G

भाग स्टक: 147

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR10100CT C0G

भाग स्टक: 113

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB717FT106

भाग स्टक: 184313

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 370mV @ 1mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

DD260N18KKHPSA1

भाग स्टक: 117

FFB20UP20DN-F085

भाग स्टक: 62

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SNRVUD620CTT4G

भाग स्टक: 123608

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GHXS030A060S-D3

भाग स्टक: 1932

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),