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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

15CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045STRL

भाग स्टक: 3649

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
15CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035STRR

भाग स्टक: 3664

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
15CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035STRL

भाग स्टक: 3607

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CWQ10FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ10FNTRL

भाग स्टक: 3683

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CWQ06FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ06FNTRR

भाग स्टक: 4421

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CWQ06FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ06FNTRL

भाग स्टक: 3664

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CWQ04FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ04FNTRL

भाग स्टक: 3689

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CWQ03FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ03FNTRR

भाग स्टक: 3644

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CWQ03FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CWQ03FNTRL

भाग स्टक: 3651

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045STRR

भाग स्टक: 3675

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035STRR

भाग स्टक: 3611

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045STRL

भाग स्टक: 3629

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
10CTQ150STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150STRR

भाग स्टक: 4365

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035STRL

भाग स्टक: 3601

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
10CTQ150-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150-1

भाग स्टक: 4419

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
10CTQ150STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10CTQ150STRL

भाग स्टक: 3648

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
162CNQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

162CNQ030

भाग स्टक: 3672

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
162CMQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

162CMQ030

भाग स्टक: 3621

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 160A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
161CNQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

161CNQ045

भाग स्टक: 3624

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 710mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
15CTQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045

भाग स्टक: 4399

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
15CTQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035

भाग स्टक: 3651

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045

भाग स्टक: 3636

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ040

भाग स्टक: 3605

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035

भाग स्टक: 3647

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
153CNQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

153CNQ100

भाग स्टक: 3612

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.19V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
151CMQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

151CMQ045

भाग स्टक: 3677

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
153CMQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

153CMQ080

भाग स्टक: 4389

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.19V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
151CMQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

151CMQ040

भाग स्टक: 3606

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
150CMQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ045

भाग स्टक: 3636

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 870mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
150CMQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ035

भाग स्टक: 3650

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 870mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
150CMQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

150CMQ040

भाग स्टक: 3604

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 870mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
15CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ045S

भाग स्टक: 3589

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080S

भाग स्टक: 3608

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
15CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

15CTQ035S

भाग स्टक: 3620

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 7.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 7.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ045S

भाग स्टक: 3627

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
12CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division

12CTQ035S

भाग स्टक: 4408

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि