Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

1PS59SB15,115
NXP USA Inc.

1PS59SB15,115

भाग स्टक: 4404

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1PS59SB14,115
NXP USA Inc.

1PS59SB14,115

भाग स्टक: 4331

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1PS226,115
NXP USA Inc.

1PS226,115

भाग स्टक: 4446

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1PS184,135
NXP USA Inc.

1PS184,135

भाग स्टक: 4337

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1PS184,115
NXP USA Inc.

1PS184,115

भाग स्टक: 4473

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1PS70SB14/ZLX
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLX

भाग स्टक: 4330

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1PS70SB14/ZLF
Nexperia USA Inc.

1PS70SB14/ZLF

भाग स्टक: 4334

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS184S,LF(D

भाग स्टक: 4245

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS412(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS412(TE85L,F)

भाग स्टक: 4112

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS360(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS360(T5L,F,T)

भाग स्टक: 4169

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS302TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS302TE85LF

भाग स्टक: 162072

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1SS301SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS301SU,LF

भाग स्टक: 4015

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1N6659
Microsemi Corporation

1N6659

भाग स्टक: 4137

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTU04-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04-1

भाग स्टक: 3721

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04

भाग स्टक: 3649

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ060

भाग स्टक: 3669

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTU04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTU04S

भाग स्टक: 3644

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
110CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASL

भाग स्टक: 3638

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 540mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
110CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045ASM

भाग स्टक: 3688

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 540mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
113CNQ100ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASM

भाग स्टक: 3674

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
113CNQ100ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100ASL

भाग स्टक: 4418

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
111CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASM

भाग स्टक: 3691

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
111CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045ASL

भाग स्टक: 3663

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
115CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015A

भाग स्टक: 3629

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 370mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
112CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASL

भाग स्टक: 3678

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
112CNQ030ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030ASM

भाग स्टक: 3654

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
115CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

115CNQ015ASM

भाग स्टक: 3703

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 370mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
113CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

113CNQ100A

भाग स्टक: 3655

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 810mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
110CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

110CNQ045A

भाग स्टक: 3673

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 540mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
112CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

112CNQ030A

भाग स्टक: 3657

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
111CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

111CNQ045A

भाग स्टक: 3692

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 55A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 55A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ100STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRR

भाग स्टक: 3680

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100STRL

भाग स्टक: 3603

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRR

भाग स्टक: 3660

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ100-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ100-1

भाग स्टक: 3603

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
16CTQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

16CTQ080STRL

भाग स्टक: 3691

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि