डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 2.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.5µs,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.5µs,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 2.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.5µs,
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 610mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2.6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 1.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 150ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 410mV @ 2.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.9A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 770mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 35A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.12V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.02V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 680mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 780mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 430mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 930mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,
डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,
