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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

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BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-08

भाग स्टक: 185466

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

इच्छा सुची
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-08

भाग स्टक: 175504

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

इच्छा सुची
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-18

भाग स्टक: 164062

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 6ns,

इच्छा सुची
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-18

भाग स्टक: 178973

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS18

भाग स्टक: 153471

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS18

भाग स्टक: 172005

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS08

भाग स्टक: 158649

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची
VS-1N3891R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3891R

भाग स्टक: 14617

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 300ns,

इच्छा सुची
VS-70HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120

भाग स्टक: 9505

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 220A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-300U30A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300U30A

भाग स्टक: 1921

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 942A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-240UR80D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240UR80D

भाग स्टक: 1530

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 750A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS08SPBF

भाग स्टक: 25294

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 95ns,

इच्छा सुची
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045SPBF

भाग स्टक: 43609

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 18A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-1N3209
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3209

भाग स्टक: 12937

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-40HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL100S05

भाग स्टक: 5411

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.95V @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 500ns,

इच्छा सुची
VS-15TT100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15TT100

भाग स्टक: 125688

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF12FP-M3

भाग स्टक: 11184

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.31V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 400ns,

इच्छा सुची
EGL41B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41B/1

भाग स्टक: 198616

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची
UH1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH1PD-M3/85A

भाग स्टक: 190343

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.05V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 40ns,

इच्छा सुची
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS12S-M3

भाग स्टक: 33360

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD1100C12C

भाग स्टक: 1247

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1400A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.31V @ 1500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP10J-4005HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005HE3/54

भाग स्टक: 161380

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL34G/51

भाग स्टक: 119255

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.35V @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची
MUR160/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR160/54

भाग स्टक: 161367

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

इच्छा सुची
VS-1N3893
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3893

भाग स्टक: 10697

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 300ns,

इच्छा सुची
VS-20ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF04-M3

भाग स्टक: 10805

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 160ns,

इच्छा सुची
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGL34D/1

भाग स्टक: 134851

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 150ns,

इच्छा सुची
VS-40HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF100

भाग स्टक: 7355

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 125A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

SD453N16S30PC

भाग स्टक: 664

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 450A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.85V @ 1500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

इच्छा सुची
EGL41D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41D/1

भाग स्टक: 141735

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

इच्छा सुची
GP10K-4006EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10K-4006EHE3/54

भाग स्टक: 117977

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-ETH1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETH1506S-M3

भाग स्टक: 46686

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.45V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 29ns,

इच्छा सुची
VS-40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF60

भाग स्टक: 8993

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 125A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GP10J-4005EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005EHE3/54

भाग स्टक: 133740

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GL41Y/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41Y/1

भाग स्टक: 114302

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-240U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240U120D

भाग स्टक: 1800

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 750A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची