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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू

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FEPF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JTHE3/45

भाग स्टक: 83743

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-E3-18

भाग स्टक: 179096

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDH02-M3/I

भाग स्टक: 151030

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.03V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GIB2402HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2402HE3/81

भाग स्टक: 72465

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCTHE3/45

भाग स्टक: 107496

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-08

भाग स्टक: 180957

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 240V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 225mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GIB2404HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404HE3/81

भाग स्टक: 72465

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB18CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/81

भाग स्टक: 75239

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPF16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DTHE3/45

भाग स्टक: 83648

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCT-E3/45

भाग स्टक: 94860

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPF16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JT-E3/45

भाग स्टक: 87528

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB18DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/81

भाग स्टक: 75249

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCT-E3/45

भाग स्टक: 110617

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG30APT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30APT-E3/45

भाग स्टक: 34458

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.15V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GIB2401HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401HE3/45

भाग स्टक: 87451

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 16A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 975mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-G3-08

भाग स्टक: 185162

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 240V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 225mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JT-E3/81

भाग स्टक: 103025

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/45

भाग स्टक: 90753

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDU06HM3/I

भाग स्टक: 106014

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGB18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/45

भाग स्टक: 90829

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB16DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DT-E3/81

भाग स्टक: 113329

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DTHE3/81

भाग स्टक: 74564

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-HE3-08

भाग स्टक: 144372

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

इच्छा सुची
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCTHE3/81

भाग स्टक: 84845

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GSD2004A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-18

भाग स्टक: 192897

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 240V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 225mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-G3-18

भाग स्टक: 141280

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 240V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 225mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FT-E3/81

भाग स्टक: 69929

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UG10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10FCT-E3/45

भाग स्टक: 143640

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPF16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DT-E3/45

भाग स्टक: 86838

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JTHE3/45

भाग स्टक: 82943

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
UGF18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18ACT-E3/45

भाग स्टक: 100167

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची
FEPB16CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CT-E3/81

भाग स्टक: 75327

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची