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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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SI4825DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4825DY-T1-E3

भाग स्टक: 432

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.1A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 10V,

इच्छा सुची
IRFRC20PBF
Vishay Siliconix

IRFRC20PBF

भाग स्टक: 72548

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

इच्छा सुची
SI2303BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2303BDS-T1-E3

भाग स्टक: 464

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.49A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,

इच्छा सुची
SI4876DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4876DY-T1-E3

भाग स्टक: 447

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 mOhm @ 21A, 4.5V,

इच्छा सुची
SI4466DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4466DY-T1-E3

भाग स्टक: 396

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

इच्छा सुची
SI5484DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5484DU-T1-E3

भाग स्टक: 492

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 7.6A, 4.5V,

इच्छा सुची
SI3475DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-E3

भाग स्टक: 6120

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 950mA (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.61 Ohm @ 900mA, 10V,

इच्छा सुची
SI8404DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8404DB-T1-E1

भाग स्टक: 488

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12.2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 31 mOhm @ 1A, 4.5V,

इच्छा सुची
SI4435DDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4435DDY-T1-E3

भाग स्टक: 165891

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11.4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

इच्छा सुची
SI4850EY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4850EY-T1-GE3

भाग स्टक: 107397

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 6A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा सुची
SI4401FDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4401FDY-T1-GE3

भाग स्टक: 16596

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.9A (Ta), 14A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 14.2 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
SI4483ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4483ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 135861

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 19.2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
IRFL110TRPBF
Vishay Siliconix

IRFL110TRPBF

भाग स्टक: 195752

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

इच्छा सुची
IRF540PBF
Vishay Siliconix

IRF540PBF

भाग स्टक: 38777

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 28A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,

इच्छा सुची
IRLU014PBF
Vishay Siliconix

IRLU014PBF

भाग स्टक: 69107

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 7.7A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 5V,

इच्छा सुची
IRF520PBF
Vishay Siliconix

IRF520PBF

भाग स्टक: 69178

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 10V,

इच्छा सुची
SI4435FDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4435FDY-T1-GE3

भाग स्टक: 16600

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12.6A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

इच्छा सुची
SI4463CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4463CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 176137

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13.6A (Ta), 49A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V,

इच्छा सुची
SI4465ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 78275

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 4.5V,

इच्छा सुची
SI9407BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9407BDY-T1-GE3

भाग स्टक: 191332

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.7A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 120 mOhm @ 3.2A, 10V,

इच्छा सुची
SI4427BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4427BDY-T1-E3

भाग स्टक: 134797

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.7A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.6A, 10V,

इच्छा सुची
SI4477DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4477DY-T1-GE3

भाग स्टक: 113273

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 26.6A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V,

इच्छा सुची
SI4403CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4403CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 119611

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 13.4A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15.5 mOhm @ 9A, 4.5V,

इच्छा सुची
IRFL014TRPBF
Vishay Siliconix

IRFL014TRPBF

भाग स्टक: 96397

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.7A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 10V,

इच्छा सुची
IRF530PBF
Vishay Siliconix

IRF530PBF

भाग स्टक: 66592

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

इच्छा सुची
SI4154DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4154DY-T1-GE3

भाग स्टक: 110650

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 36A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.3 mOhm @ 15A, 10V,

इच्छा सुची
IRFD210PBF
Vishay Siliconix

IRFD210PBF

भाग स्टक: 72598

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 600mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.5 Ohm @ 360mA, 10V,

इच्छा सुची
SQD50N04-5M6_T4GE3
Vishay Siliconix

SQD50N04-5M6_T4GE3

भाग स्टक: 16520

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
SI4894BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4894BDY-T1-E3

भाग स्टक: 125168

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा सुची
SI4848ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4848ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 16523

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 3.9A, 10V,

इच्छा सुची
SIHB24N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHB24N65EF-GE3

भाग स्टक: 11106

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 24A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा सुची
IRFD024PBF
Vishay Siliconix

IRFD024PBF

भाग स्टक: 56811

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 1.5A, 10V,

इच्छा सुची
SIHG050N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG050N60E-GE3

भाग स्टक: 9747

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 51A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,

इच्छा सुची
SIHD12N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD12N50E-GE3

भाग स्टक: 37002

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 550V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

इच्छा सुची
SQM120N06-3M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N06-3M5L_GE3

भाग स्टक: 35073

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 mOhm @ 29A, 10V,

इच्छा सुची
SIHG47N60EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHG47N60EF-GE3

भाग स्टक: 6708

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 47A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 67 mOhm @ 24A, 10V,

इच्छा सुची