ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

Vishay Siliconix

SI4409DY-T1-E3

भाग स्टक: 1075

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 6V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4406DY-T1-E3

भाग स्टक: 1020

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची

SIE844DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE844DF-T1-GE3

भाग स्टक: 1087

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 44.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 mOhm @ 12.1A, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SUM90P10-19-E3

भाग स्टक: 1159

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 90A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची

SQD50N04-09H-GE3

Vishay Siliconix

SQD50N04-09H-GE3

भाग स्टक: 1184

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

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SIJ400DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

भाग स्टक: 6205

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 32A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची

SI7664DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7664DP-T1-GE3

भाग स्टक: 1113

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SUD50P10-43-E3

भाग स्टक: 1087

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 38A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 43 mOhm @ 9.4A, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI7388DP-T1-E3

भाग स्टक: 1082

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 12A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

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SIB411DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB411DK-T1-GE3

भाग स्टक: 1086

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

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SI7476DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7476DP-T1-GE3

भाग स्टक: 1107

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 15A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

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SUM40N02-12P-E3

Vishay Siliconix

SUM40N02-12P-E3

भाग स्टक: 1078

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI7495DP-T1-E3

भाग स्टक: 1090

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 4.5V,

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SI7358ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7358ADP-T1-GE3

भाग स्टक: 1081

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 14A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.2 mOhm @ 23A, 10V,

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SI4860DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4860DY-T1-GE3

भाग स्टक: 1031

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V,

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SI1405BDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1405BDH-T1-E3

भाग स्टक: 1044

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.6A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI6473DQ-T1-E3

भाग स्टक: 1120

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.2A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

इच्छा सुची

SI7368DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7368DP-T1-GE3

भाग स्टक: 1045

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 13A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची

SI3805DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3805DV-T1-GE3

भाग स्टक: 161281

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.3A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 84 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4453DY-T1-E3

भाग स्टक: 1038

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 10A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

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SI6465DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6465DQ-T1-GE3

भाग स्टक: 1118

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 8V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.8A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 12 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

इच्छा सुची

SIB488DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB488DK-T1-GE3

भाग स्टक: 199886

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI7156DP-T1-E3

भाग स्टक: 6202

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI4346DY-T1-E3

भाग स्टक: 157533

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

इच्छा सुची

SI4836DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4836DY-T1-GE3

भाग स्टक: 1061

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

इच्छा सुची

SI1300BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1300BDL-T1-GE3

भाग स्टक: 6182

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 400mA (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 2.5V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 850 mOhm @ 250mA, 4.5V,

इच्छा सुची

SI7452DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7452DP-T1-GE3

भाग स्टक: 1130

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11.5A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8.3 mOhm @ 19.3A, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI7440DP-T1-E3

भाग स्टक: 1040

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 12A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4688DY-T1-E3

भाग स्टक: 1079

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा सुची

Vishay Siliconix

SI4196DY-T1-E3

भाग स्टक: 1014

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 27 mOhm @ 8A, 4.5V,

इच्छा सुची

SI7388DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7388DP-T1-GE3

भाग स्टक: 1128

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 12A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

इच्छा सुची

SI7454CDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7454CDP-T1-GE3

भाग स्टक: 947

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 22A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30.5 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची

SI1307DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1307DL-T1-GE3

भाग स्टक: 1058

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 850mA (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 1.8V, 4.5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

इच्छा सुची

SUD06N10-225L-E3

Vishay Siliconix

SUD06N10-225L-E3

भाग स्टक: 962

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 3A, 10V,

इच्छा सुची

SI5402DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5402DC-T1-GE3

भाग स्टक: 1065

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.9A (Ta), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

इच्छा सुची

SI4833ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4833ADY-T1-GE3

भाग स्टक: 1108

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.6A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 10V,

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