Menu
नेपालीनेपाली
Rfqs / अर्डर
0Rfqs / अर्डर

ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

  • घर
  •  
  • ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल
IRFR9014PBF
Vishay Siliconix

IRFR9014PBF

भाग स्टक: 73258

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.1A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

इच्छा सुची
IRFBC20SPBF
Vishay Siliconix

IRFBC20SPBF

भाग स्टक: 22931

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 2.2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

इच्छा सुची
SQM50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P04-09L_GE3

भाग स्टक: 4289

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9.4 mOhm @ 50A, 10V,

इच्छा सुची
IRFP460BPBF
Vishay Siliconix

IRFP460BPBF

भाग स्टक: 19719

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची
SUM90N03-2M2P-E3
Vishay Siliconix

SUM90N03-2M2P-E3

भाग स्टक: 44213

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 90A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.2 mOhm @ 32A, 10V,

इच्छा सुची
SIHG14N50D-GE3
Vishay Siliconix

SIHG14N50D-GE3

भाग स्टक: 33987

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

इच्छा सुची
IRFPG30PBF
Vishay Siliconix

IRFPG30PBF

भाग स्टक: 22751

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 3.1A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5 Ohm @ 1.9A, 10V,

इच्छा सुची
IRF840BPBF
Vishay Siliconix

IRF840BPBF

भाग स्टक: 46957

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 8.7A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

इच्छा सुची
SIHW61N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHW61N65EF-GE3

भाग स्टक: 5017

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 64A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 47 mOhm @ 30.5A, 10V,

इच्छा सुची
SUP90220E-GE3
Vishay Siliconix

SUP90220E-GE3

भाग स्टक: 24915

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 64A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 7.5V, 10V,

इच्छा सुची
IRFP254PBF
Vishay Siliconix

IRFP254PBF

भाग स्टक: 21103

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 250V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 23A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V,

इच्छा सुची
IRFPG40PBF
Vishay Siliconix

IRFPG40PBF

भाग स्टक: 15431

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 1000V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.3A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.5 Ohm @ 2.6A, 10V,

इच्छा सुची
SIHP12N50C-E3
Vishay Siliconix

SIHP12N50C-E3

भाग स्टक: 14174

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 12A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 555 mOhm @ 4A, 10V,

इच्छा सुची
IRL620STRLPBF
Vishay Siliconix

IRL620STRLPBF

भाग स्टक: 61182

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

इच्छा सुची
SIHG24N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHG24N65EF-GE3

भाग स्टक: 10604

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 24A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

इच्छा सुची
IRFIBC20GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBC20GPBF

भाग स्टक: 52188

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.7A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.4 Ohm @ 1A, 10V,

इच्छा सुची
SIHG35N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG35N60E-GE3

भाग स्टक: 9928

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 32A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 94 mOhm @ 17A, 10V,

इच्छा सुची
IRFP23N50LPBF
Vishay Siliconix

IRFP23N50LPBF

भाग स्टक: 9366

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 23A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 235 mOhm @ 14A, 10V,

इच्छा सुची
SUP90330E-GE3
Vishay Siliconix

SUP90330E-GE3

भाग स्टक: 2910

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 35.8A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 7.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V,

इच्छा सुची
SQM47N10-24L_GE3
Vishay Siliconix

SQM47N10-24L_GE3

भाग स्टक: 60592

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 47A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 40A, 10V,

इच्छा सुची
SQM110N05-06L_GE3
Vishay Siliconix

SQM110N05-06L_GE3

भाग स्टक: 46889

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 55V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 110A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
SQM120N04-1M7L_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N04-1M7L_GE3

भाग स्टक: 43578

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 120A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4.5V, 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

इच्छा सुची
IRFI9540GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9540GPBF

भाग स्टक: 18364

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 11A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 6.6A, 10V,

इच्छा सुची
IRF9Z34PBF
Vishay Siliconix

IRF9Z34PBF

भाग स्टक: 45556

FET प्रकार: P-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 18A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा सुची
IRLR024
Vishay Siliconix

IRLR024

भाग स्टक: 18488

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 14A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

इच्छा सुची
SIHB22N60E-E3
Vishay Siliconix

SIHB22N60E-E3

भाग स्टक: 16060

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 21A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

इच्छा सुची
IRFR110PBF
Vishay Siliconix

IRFR110PBF

भाग स्टक: 81403

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 4.3A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

इच्छा सुची
IRLZ14STRLPBF
Vishay Siliconix

IRLZ14STRLPBF

भाग स्टक: 85510

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 10A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 4V, 5V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

इच्छा सुची
IRFI530GPBF
Vishay Siliconix

IRFI530GPBF

भाग स्टक: 34802

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 9.7A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 160 mOhm @ 5.8A, 10V,

इच्छा सुची
SIHP38N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP38N60E-GE3

भाग स्टक: 10061

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 43A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 19A, 10V,

इच्छा सुची
SIHG40N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG40N60E-GE3

भाग स्टक: 9736

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 75 mOhm @ 20A, 10V,

इच्छा सुची
IRF620STRLPBF
Vishay Siliconix

IRF620STRLPBF

भाग स्टक: 64009

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 200V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.2A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

इच्छा सुची
IRFP17N50LPBF
Vishay Siliconix

IRFP17N50LPBF

भाग स्टक: 11401

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 500V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 320 mOhm @ 9.9A, 10V,

इच्छा सुची
SIHG80N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG80N60E-GE3

भाग स्टक: 5638

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 80A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 30 mOhm @ 40A, 10V,

इच्छा सुची
IRFIBF30GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBF30GPBF

भाग स्टक: 18335

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 1.9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V,

इच्छा सुची
IRF730ASTRLPBF
Vishay Siliconix

IRF730ASTRLPBF

भाग स्टक: 57071

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: MOSFET (Metal Oxide), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 400V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस: 5.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

इच्छा सुची