FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 70A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V,
