ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

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ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल

TPH3202PD

भाग स्टक: 7016

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

इच्छा सुची

TPH3205WSB

भाग स्टक: 3254

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 36A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 8V,

इच्छा सुची

TPH3208PD

भाग स्टक: 986

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3207WS

भाग स्टक: 2351

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 50A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 41 mOhm @ 32A, 8V,

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TPH3206LS

भाग स्टक: 6040

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

इच्छा सुची

TPH3208LS

भाग स्टक: 5664

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3208PS

भाग स्टक: 6263

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206PD

भाग स्टक: 5709

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3206PS

भाग स्टक: 6777

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H035WS

भाग स्टक: 2828

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 46.5A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 12V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 41 mOhm @ 30A, 10V,

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TPH3208LDG

भाग स्टक: 5597

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3206LDGB

भाग स्टक: 6072

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TP65H050WS

भाग स्टक: 1890

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 34A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 12V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 22A, 10V,

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TPH3206LD

भाग स्टक: 6066

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 8V,

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TPH3208LSG

भाग स्टक: 1701

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 8V,

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TPH3205WSBQA

भाग स्टक: 2970

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 35A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 62 mOhm @ 22A, 8V,

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TPH3206PSB

भाग स्टक: 6741

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TP90H180PS

भाग स्टक: 2997

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 900V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 15A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 205 mOhm @ 10A, 10V,

इच्छा सुची

TPH3206LSB

भाग स्टक: 6120

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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TPH3212PS

भाग स्टक: 4430

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 27A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 72 mOhm @ 17A, 8V,

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TPH3202LD

भाग स्टक: 6662

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3202LS

भाग स्टक: 6623

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3208LD

भाग स्टक: 5648

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 13A, 8V,

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TPH3202PS

भाग स्टक: 7016

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 600V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 350 mOhm @ 5.5A, 8V,

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TPH3206LDB

भाग स्टक: 6074

FET प्रकार: N-Channel, टेक्नोलोजी: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 650V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Tc), ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन): 10V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 8V,

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