आईसीहरू, ट्रान्जिस्टरहरूको लागि सकेटहरू

818-AG12D

भाग स्टक: 3651

प्रकार: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 18 (2 x 9), पिच - मिलन: 0.100" (2.54mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 80.0µin (2.03µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Copper Alloy,

8080-1G39

भाग स्टक: 3576

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Oval), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8058-1G57

भाग स्टक: 3532

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 8 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8058-1G34

भाग स्टक: 3201

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 10 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8058-39G4

भाग स्टक: 3205

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 8 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

822499-1

भाग स्टक: 2931

प्रकार: PLCC, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 44 (4 x 11), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

822472-7

भाग स्टक: 2978

प्रकार: PLCC, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 84 (4 x 21), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

822473-3

भाग स्टक: 2904

प्रकार: PLCC, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 32 (2 x 7, 2 x 9), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

8080-1G9

भाग स्टक: 4908

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 4 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

822473-4

भाग स्टक: 2778

प्रकार: PLCC, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 44 (4 x 11), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

822114-3

भाग स्टक: 2711

प्रकार: QFP, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 144 (4 x 36), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 200.0µin (5.08µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

822114-4

भाग स्टक: 2565

प्रकार: QFP, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 160 (4 x 40), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 200.0µin (5.08µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

821949-4

भाग स्टक: 6261

प्रकार: QFP, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 100 (4 x 25), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 200.0µin (5.08µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

8-1437504-6

भाग स्टक: 4944

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Oval), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 50.0µin (1.27µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8060-1G5

भाग स्टक: 5162

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8059-2G5

भाग स्टक: 5248

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 8 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Copper Alloy,

8060-1G12

भाग स्टक: 5783

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 4 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8059-2G8

भाग स्टक: 5326

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 8 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8058-24G1

भाग स्टक: 5420

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 10 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8058-1G31

भाग स्टक: 5560

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 10 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

848-AG10D

भाग स्टक: 5579

प्रकार: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 48 (2 x 24), पिच - मिलन: 0.100" (2.54mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 25.0µin (0.63µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Copper Alloy,

840-AG10D

भाग स्टक: 7945

प्रकार: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 40 (2 x 20), पिच - मिलन: 0.100" (2.54mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 25.0µin (0.63µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Copper Alloy,

821949-5

भाग स्टक: 6418

प्रकार: QFP, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 132 (4 x 33), पिच - मिलन: 0.050" (1.27mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 200.0µin (5.08µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Phosphor Bronze,

836-AG11D

भाग स्टक: 5795

प्रकार: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 36 (2 x 18), पिच - मिलन: 0.100" (2.54mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 25.0µin (0.63µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Copper Alloy,

8080-1G24

भाग स्टक: 8235

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 20.0µin (0.51µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8080-1G15

भाग स्टक: 5834

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Oval), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 200.0µin (5.08µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8080-1G1

भाग स्टक: 6500

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 4 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

828-AG12D

भाग स्टक: 9716

प्रकार: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 28 (2 x 14), पिच - मिलन: 0.100" (2.54mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin-Lead, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Copper Alloy,

8060-1G11

भाग स्टक: 6752

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8060-1G6

भाग स्टक: 6241

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 4 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

840-AG11D

भाग स्टक: 9058

प्रकार: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 40 (2 x 20), पिच - मिलन: 0.100" (2.54mm), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क समाप्त मोटाई - संगत: 25.0µin (0.63µm), सम्पर्क सामग्री - संभोग: Copper Alloy,

8080-1G17

भाग स्टक: 7704

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Oval), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8080-1G31

भाग स्टक: 6813

प्रकार: Transistor, TO-3, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Oval), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Tin, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8-1437530-1

भाग स्टक: 6731

8058-1G32

भाग स्टक: 4618

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 8 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,

8060-1G17

भाग स्टक: 5338

प्रकार: Transistor, TO-5, स्थिति वा पिनहरूको संख्या (ग्रिड): 3 (Round), सम्पर्क समाप्त - संभोग: Gold, सम्पर्क सामग्री - संभोग: Beryllium Copper,