तर्क प्रकार: AND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 3, आगतहरूको संख्या: 3, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: AND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: Inverter, सर्किटहरूको संख्या: 6, आगतहरूको संख्या: 6, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 3, आगतहरूको संख्या: 3, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NOR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: OR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NOR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: Inverter, सर्किटहरूको संख्या: 6, आगतहरूको संख्या: 6, विशेषताहरु: Schmitt Trigger, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: OR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 2, आगतहरूको संख्या: 4, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 2, आगतहरूको संख्या: 4, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 50µA,
तर्क प्रकार: AND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 3, आगतहरूको संख्या: 3, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, विशेषताहरु: Open Drain, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: OR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 1, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 0.8V ~ 3.6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 500nA,
तर्क प्रकार: XNOR (Exclusive NOR), सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: AND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NOR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 3, आगतहरूको संख्या: 3, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: Inverter, सर्किटहरूको संख्या: 1, आगतहरूको संख्या: 1, विशेषताहरु: Open Drain, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 1µA,
तर्क प्रकार: Inverter, सर्किटहरूको संख्या: 6, आगतहरूको संख्या: 6, भोल्टेज - आपूर्ति: 1V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 40µA,
तर्क प्रकार: Inverter, सर्किटहरूको संख्या: 6, आगतहरूको संख्या: 6, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 50µA,
तर्क प्रकार: OR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 3, आगतहरूको संख्या: 3, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NOR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 50µA,
तर्क प्रकार: OR Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 50µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, विशेषताहरु: Open Drain, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 1, आगतहरूको संख्या: 8, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 40µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 3, आगतहरूको संख्या: 3, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 2, आगतहरूको संख्या: 4, भोल्टेज - आपूर्ति: 2V ~ 6V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 2µA,
तर्क प्रकार: NAND Gate, सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, विशेषताहरु: Open Drain, भोल्टेज - आपूर्ति: 1.2V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 40µA,
तर्क प्रकार: XOR (Exclusive OR), सर्किटहरूको संख्या: 4, आगतहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - आपूर्ति: 1V ~ 5.5V, वर्तमान - शान्त (अधिकतम): 40µA,
