डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 13

PMEG3015EJ,115

भाग स्टक: 161797

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG40T30ERX

भाग स्टक: 9928

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 18ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG1020EV,115

भाग स्टक: 165025

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 460mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010BEV,115

भाग स्टक: 146639

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010AED,115

भाग स्टक: 9947

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4020EPK,315

भाग स्टक: 130759

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4005ESFYL

भाग स्टक: 105676

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.28ns,

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Nexperia USA Inc.

RB751V40,115

भाग स्टक: 144912

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 370mV @ 1mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG2020EPASX

भाग स्टक: 175223

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 420mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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PMEG045T150EIPDZ

भाग स्टक: 20324

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 21A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 510mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 49ns,

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PMEG60T30ELRX

भाग स्टक: 16283

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 17ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010ETR,115

भाग स्टक: 187475

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4.4ns,

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PMEG4010ETP,115

भाग स्टक: 174061

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG045T100EPDZ

भाग स्टक: 20292

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 14A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 480mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 40ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG45T15EPDAZ

भाग स्टक: 157653

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 20ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG045V050EPDAZ

भाग स्टक: 168398

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 12ns,

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PMEG4030ETP,115

भाग स्टक: 114496

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG060V050EPDAZ

भाग स्टक: 126243

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2015EA,115

भाग स्टक: 175334

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 1.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2020EPA,115

भाग स्टक: 123492

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 420mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG100V060ELPDAZ

भाग स्टक: 143113

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 8ns,

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PMEG100V080ELPDAZ

भाग स्टक: 182731

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 8A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 10ns,

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Nexperia USA Inc.

ES3DPX

भाग स्टक: 147011

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 980mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG60T20ELRX

भाग स्टक: 24398

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 12ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3002AESFYL

भाग स्टक: 137058

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.37ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG050T150EPDZ

भाग स्टक: 151032

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 60ns,

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Nexperia USA Inc.

PMBD914,235

भाग स्टक: 102973

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2002AESFBYL

भाग स्टक: 24359

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 375mV @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.9ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG6010EP/6X

भाग स्टक: 9497

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010BEA,135

भाग स्टक: 121021

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2005EJ,115

भाग स्टक: 160075

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 390mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S1DRX

भाग स्टक: 9532

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 960mV @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.8µs,

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Nexperia USA Inc.

PMEG60T50ELPX

भाग स्टक: 24326

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 690mV @ 5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 16ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010EPA,115

भाग स्टक: 190645

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 375mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4002ESFYL

भाग स्टक: 128427

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.28ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG4002EJ,115

भाग स्टक: 168432

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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