डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

घर
डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

Nexperia USA Inc.

BAS516,115

भाग स्टक: 165465

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS29,215

भाग स्टक: 135583

डायोड प्रकार: Avalanche, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 90V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS70-04WF

भाग स्टक: 166496

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

BAS70,235

भाग स्टक: 139693

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

BAS21W,115

भाग स्टक: 154285

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 250V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 225mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAT54AWF

भाग स्टक: 187471

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

BAT54W,135

भाग स्टक: 111904

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

BAT54CWF

भाग स्टक: 110734

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS40-06WF

भाग स्टक: 8340

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 380mV @ 1mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Nexperia USA Inc.

BAS116,235

भाग स्टक: 130843

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

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BAT54SWF

भाग स्टक: 187317

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS20,215

भाग स्टक: 141573

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS16WF

भाग स्टक: 162220

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 175mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS19,215

भाग स्टक: 158452

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS19,235

भाग स्टक: 119882

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS20,235

भाग स्टक: 180735

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Nexperia USA Inc.

BAS16,235

भाग स्टक: 106439

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 215mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMLL4153,115

भाग स्टक: 189696

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMLL4448,135

भाग स्टक: 149270

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMLL4148L,135

भाग स्टक: 170140

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3010AESAYL

भाग स्टक: 192041

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 480mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3.5ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG3015EV,115

भाग स्टक: 145098

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1.5A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG3005AEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG3005AEV,115

भाग स्टक: 167380

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 430mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

PMEG2005AEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG2005AEV,115

भाग स्टक: 135747

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 390mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005EH,115

भाग स्टक: 123895

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 430mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG3005ESFYL

भाग स्टक: 195157

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 720mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.42ns,

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Nexperia USA Inc.

PMEG2010EV,115

भाग स्टक: 102903

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG2005EL,315

भाग स्टक: 159202

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG1030EH,115

भाग स्टक: 111526

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 530mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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PMEG2002ESF,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2002ESF,315

भाग स्टक: 118027

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 490mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.9ns,

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PMEG2005BELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2005BELD,315

भाग स्टक: 106455

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 390mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.6ns,

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PMEG6010CEH,115

Nexperia USA Inc.

PMEG6010CEH,115

भाग स्टक: 193781

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 660mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

PMEG4010EH,115

भाग स्टक: 198815

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 640mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Nexperia USA Inc.

RB520CS3002LYL

भाग स्टक: 156141

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 10mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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PMEG2005ELD,315

Nexperia USA Inc.

PMEG2005ELD,315

भाग स्टक: 138313

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 7ns,

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PMEG4005AEV,115

Nexperia USA Inc.

PMEG4005AEV,115

भाग स्टक: 129684

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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