ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 16

APTGF100SK120TG

भाग स्टक: 453

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 135A, पावर - अधिकतम: 568W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

भाग स्टक: 3069

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 200A, पावर - अधिकतम: 961W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

भाग स्टक: 453

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Dual, Common Source, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 135A, पावर - अधिकतम: 568W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

भाग स्टक: 411

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 130A, पावर - अधिकतम: 735W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

भाग स्टक: 435

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 135A, पावर - अधिकतम: 568W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

भाग स्टक: 455

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 93A, पावर - अधिकतम: 378W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

भाग स्टक: 418

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 93A, पावर - अधिकतम: 378W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

भाग स्टक: 3465

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 347W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

भाग स्टक: 3433

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 347W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

भाग स्टक: 448

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 277W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

भाग स्टक: 465

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 58A, पावर - अधिकतम: 192W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.5V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

भाग स्टक: 416

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 58A, पावर - अधिकतम: 192W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.5V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

भाग स्टक: 481

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 120A, पावर - अधिकतम: 416W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT75GN120J

भाग स्टक: 420

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 124A, पावर - अधिकतम: 379W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

भाग स्टक: 401

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 124A, पावर - अधिकतम: 379W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT60GT60JR

भाग स्टक: 445

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 93A, पावर - अधिकतम: 378W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.5V @ 15V, 60A,

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Microsemi Corporation

APT50GP60J

भाग स्टक: 2419

IGBT प्रकार: PT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 329W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

भाग स्टक: 393

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 72A, पावर - अधिकतम: 379W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

भाग स्टक: 2536

IGBT प्रकार: PT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 86A, पावर - अधिकतम: 284W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.7V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

भाग स्टक: 469

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 77A, पावर - अधिकतम: 347W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT200GN60JG

भाग स्टक: 406

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 283A, पावर - अधिकतम: 682W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.85V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

भाग स्टक: 1653

IGBT प्रकार: PT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 128A, पावर - अधिकतम: 543W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

भाग स्टक: 1360

IGBT प्रकार: NPT, Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Boost Chopper, Full Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 65A, पावर - अधिकतम: 250W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.45V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT40GP90JDQ2

भाग स्टक: 2143

IGBT प्रकार: PT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 900V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 64A, पावर - अधिकतम: 284W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.9V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT40GP90J

भाग स्टक: 2176

IGBT प्रकार: PT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 900V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 68A, पावर - अधिकतम: 284W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.9V @ 15V, 40A,

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Microsemi Corporation

APT50GP60JDQ2

भाग स्टक: 2312

IGBT प्रकार: PT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 329W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT30GP60JDQ1

भाग स्टक: 2849

IGBT प्रकार: PT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 67A, पावर - अधिकतम: 245W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.7V @ 15V, 30A,

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Microsemi Corporation

APTGF50DA120CT1G

भाग स्टक: 351

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 312W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF90DA60CT1G

भाग स्टक: 336

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 110A, पावर - अधिकतम: 416W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.5V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75DH60T1G

भाग स्टक: 3031

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Asymmetrical Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 250W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT50A1202G

भाग स्टक: 3035

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 277W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGF100A120T3WG

भाग स्टक: 285

IGBT प्रकार: NPT, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 130A, पावर - अधिकतम: 657W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 3.7V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK170D1G

भाग स्टक: 351

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 120A, पावर - अधिकतम: 520W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT75SK60T1G

भाग स्टक: 371

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 250W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT50SK120D1G

भाग स्टक: 316

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 270W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT75A120TG

भाग स्टक: 363

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 350W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

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