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ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू

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  • ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

भाग स्टक: 546

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Three Phase, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 250W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

भाग स्टक: 5307

IGBT प्रकार: NPT, Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Boost Chopper, Full Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 150A, पावर - अधिकतम: 340W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 100A,

इच्छा सुची
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

भाग स्टक: 531

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 110A, पावर - अधिकतम: 357W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

भाग स्टक: 541

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 110A, पावर - अधिकतम: 357W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

भाग स्टक: 521

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Asymmetrical Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 250W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

भाग स्टक: 490

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Dual Buck Chopper, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100A, पावर - अधिकतम: 250W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

भाग स्टक: 478

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Asymmetrical Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 110A, पावर - अधिकतम: 357W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

भाग स्टक: 540

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 130A, पावर - अधिकतम: 465W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

भाग स्टक: 464

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 120A, पावर - अधिकतम: 520W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

भाग स्टक: 555

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 110A, पावर - अधिकतम: 357W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

भाग स्टक: 545

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 120A, पावर - अधिकतम: 520W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

भाग स्टक: 548

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 110A, पावर - अधिकतम: 357W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

भाग स्टक: 526

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 110A, पावर - अधिकतम: 357W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 75A,

इच्छा सुची
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

भाग स्टक: 526

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 760A, पावर - अधिकतम: 1600W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 600A,

इच्छा सुची
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

भाग स्टक: 482

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Three Phase, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70A, पावर - अधिकतम: 310W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

भाग स्टक: 514

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70A, पावर - अधिकतम: 310W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

भाग स्टक: 476

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Dual, Common Source, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 312W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

भाग स्टक: 541

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Dual Buck Chopper, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80A, पावर - अधिकतम: 176W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

भाग स्टक: 552

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Dual Buck Chopper, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 270W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

भाग स्टक: 528

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Asymmetrical Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80A, पावर - अधिकतम: 176W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

भाग स्टक: 3071

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 312W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

भाग स्टक: 518

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70A, पावर - अधिकतम: 310W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

भाग स्टक: 496

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 270W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

भाग स्टक: 535

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 70A, पावर - अधिकतम: 310W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

भाग स्टक: 520

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80A, पावर - अधिकतम: 176W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

भाग स्टक: 494

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 270W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

भाग स्टक: 483

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 75A, पावर - अधिकतम: 277W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 50A,

इच्छा सुची
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

भाग स्टक: 517

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Dual, Common Source, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 550A, पावर - अधिकतम: 1750W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.8V @ 15V, 450A,

इच्छा सुची
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

भाग स्टक: 472

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 600V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500A, पावर - अधिकतम: 1250W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 1.9V @ 15V, 400A,

इच्छा सुची
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

भाग स्टक: 507

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 580A, पावर - अधिकतम: 2100W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 400A,

इच्छा सुची
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

भाग स्टक: 463

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 580A, पावर - अधिकतम: 2100W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 400A,

इच्छा सुची
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

भाग स्टक: 527

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 55A, पावर - अधिकतम: 205W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 35A,

इच्छा सुची
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

भाग स्टक: 522

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Full Bridge Inverter, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 55A, पावर - अधिकतम: 208W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 35A,

इच्छा सुची
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

भाग स्टक: 463

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Half Bridge, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 55A, पावर - अधिकतम: 205W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 35A,

इच्छा सुची
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

भाग स्टक: 481

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 55A, पावर - अधिकतम: 205W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.1V @ 15V, 35A,

इच्छा सुची
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

भाग स्टक: 507

IGBT प्रकार: Trench Field Stop, कन्फिगरेसन: Single, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 1700V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 45A, पावर - अधिकतम: 210W, Vce (अन) (अधिकतम) @ Vge, आईसी: 2.4V @ 15V, 30A,

इच्छा सुची