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MDA950-16N1W

भाग स्टक: 138

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSS2X41-01A

भाग स्टक: 3885

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HTZ250G33K

भाग स्टक: 224

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 33600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 2.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 32V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DH2X61-18A

भाग स्टक: 2114

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.01V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HTZ170C2K

भाग स्टक: 274

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSSK60-02A

भाग स्टक: 10133

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HTZ180D26K

भाग स्टक: 162

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 26000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1.3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 22V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSSK20-015A

भाग स्टक: 28342

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 790mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HTZ280H24K

भाग स्टक: 225

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 24000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 23V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MDK950-22N1W

भाग स्टक: 161

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSA90C200HB

भाग स्टक: 12862

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 45A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 960mV @ 45A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MDD950-16N1W

भाग स्टक: 201

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSEI2X61-12B

भाग स्टक: 3425

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 52A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.5V @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSEI2X121-02A

भाग स्टक: 3385

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 123A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DCG45X1200NA

भाग स्टक: 1333

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 22A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 20A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io),

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HTZ180D35K

भाग स्टक: 175

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1.3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 22V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSSK80-006B

भाग स्टक: 12147

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 40A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HTZ260G22K

भाग स्टक: 155

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 22400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 16V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MDD950-12N1W

भाग स्टक: 218

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MDK950-14N1W

भाग स्टक: 194

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ130B28K

भाग स्टक: 198

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 28000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 24V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ120A44K

भाग स्टक: 216

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 44000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 36.8V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ240F14K

भाग स्टक: 291

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 14000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 10V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ150C7K

भाग स्टक: 330

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 7200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 6V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ260G14K

भाग स्टक: 187

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 14000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 16V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ260G16K

भाग स्टक: 231

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 16800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 4.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 16V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ170C2.4K

भाग स्टक: 260

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ170C2.8K

भाग स्टक: 298

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.9V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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HTZ240F12K

भाग स्टक: 220

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 12000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 10V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

MDK950-16N1W

भाग स्टक: 223

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

HTZ110A16K

भाग स्टक: 210

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 16000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 3.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 18.3V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MDMA380P1600KC

भाग स्टक: 548

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 380A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.07V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MEK350-02DA

भाग स्टक: 1088

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 356A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.07V @ 260A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MEE75-12DA

भाग स्टक: 2323

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.17V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSEK60-02A

भाग स्टक: 12850

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 34A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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HTZ160C17K

भाग स्टक: 227

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 16800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 1.7A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 12V @ 2A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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