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DSEI2X101-06P

भाग स्टक: 2955

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 96A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DPG60C300HJ

भाग स्टक: 12893

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.26V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSA20C100PB

भाग स्टक: 54094

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DPG30C200HB

भाग स्टक: 26723

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSA20C45PB

भाग स्टक: 56629

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DHG50X1200NA

भाग स्टक: 3764

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.12V @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DHG40C600PB

भाग स्टक: 19012

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.32V @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MDD26-16N1B

भाग स्टक: 3097

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 36A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.38V @ 80A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSEC60-06B

भाग स्टक: 12583

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.51V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MDD200-16N1

भाग स्टक: 956

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 224A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSA30C60PB

भाग स्टक: 48590

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 850mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MDD56-18N1B

भाग स्टक: 2871

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 95A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.48V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSSK40-008B

भाग स्टक: 18243

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MDD95-08N1B

भाग स्टक: 2564

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.43V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSB30C45PB

भाग स्टक: 48603

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 590mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSIK45-16AR

भाग स्टक: 12087

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 45A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.22V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MEK75-12DA

भाग स्टक: 2808

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 75A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.17V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MDD312-18N1

भाग स्टक: 489

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 310A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.32V @ 600A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DSEC30-06A

भाग स्टक: 14906

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.03V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

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MDD44-18N1B

भाग स्टक: 3113

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 64A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DPG60C400HB

भाग स्टक: 16129

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.41V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DPG60C200HB

भाग स्टक: 20016

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.34V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DPG60C300HB

भाग स्टक: 16097

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 300V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.34V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DSB60C30PB

भाग स्टक: 37047

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DPG60C400QB

भाग स्टक: 21934

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 30A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.41V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSEI2X161-02P

भाग स्टक: 2175

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 165A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DPG30C400PB

भाग स्टक: 39189

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.39V @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

IXYS

DSA50C100HB

भाग स्टक: 25086

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DPF240X200NA

भाग स्टक: 3150

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

MDD44-08N1B

भाग स्टक: 3748

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 64A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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MDD312-22N1

भाग स्टक: 457

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 310A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.32V @ 600A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DSEK60-02AR

भाग स्टक: 13040

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 34A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 30A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

MDD44-14N1B

भाग स्टक: 3444

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 64A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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DHG100X1200NA

भाग स्टक: 3219

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.16V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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IXYS

DSA20C100PN

भाग स्टक: 54134

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 900mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DSEC16-12A

भाग स्टक: 30261

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.94V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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