डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

D4810N28TVFXPSA1

भाग स्टक: 136

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4810A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.078V @ 4000A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D950N18TXPSA1

भाग स्टक: 149

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.12V @ 650A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D650N02TXPSA1

भाग स्टक: 110

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 650A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 450A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

GLHUELSE1627XPSA1

भाग स्टक: 165

GLHUELSE1626XPSA1

भाग स्टक: 165

D8320N06TVFXPSA1

भाग स्टक: 169

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 795mV @ 4000A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC105D120H8X1SA1

भाग स्टक: 176

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.41V @ 45A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D820N22TXPSA1

भाग स्टक: 123

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 820A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 750A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D650N06TXPSA1

भाग स्टक: 127

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 650A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 450A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC06D120H8X1SA2

भाग स्टक: 128

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 7.5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.97V @ 7.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1800N48TVFXPSA1

भाग स्टक: 135

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 4800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1800A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.32V @ 1500A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC10D120H8X1SA2

भाग स्टक: 107

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.97V @ 7.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1230N16TXPSA1

भाग स्टक: 139

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1230A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.063V @ 800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D8320N04TVFXPSA1

भाग स्टक: 81

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8320A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 795mV @ 4000A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1230N14TXPSA1

भाग स्टक: 108

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1230A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.063V @ 800A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D970N06TXPSA1

भाग स्टक: 116

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 970A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 970mV @ 750A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D950N22TXPSA1

भाग स्टक: 143

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 2200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.12V @ 650A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDC73D120T6MX1SA2

भाग स्टक: 85

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.05V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDP2302XUMA1

भाग स्टक: 32762

IDC10S120C5X1SA1

भाग स्टक: 6144

IDC20S120C5X1SA1

भाग स्टक: 3497

DZ950N36KHPSA1

भाग स्टक: 141

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.78V @ 3000A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DZ950N44KS02HPSA1

भाग स्टक: 109

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 4400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 950A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

DZ950N44KS01HPSA1

भाग स्टक: 149

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 4400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 950A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDC15S120C5X1SA1

भाग स्टक: 4576

IDM10G120C5XTMA1

भाग स्टक: 15303

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 38A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

DZ950N44KHPSA1

भाग स्टक: 183

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 4400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 950A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.78V @ 3000A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDM08G120C5XTMA1

भाग स्टक: 19565

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 8A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.95V @ 8A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

IDM05G120C5XTMA1

भाग स्टक: 27245

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 5A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 5A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

IDW32G65C5BXKSA2

भाग स्टक: 6228

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 16A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 16A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

IDD06SG60CXTMA2

भाग स्टक: 218

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.3V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA2

भाग स्टक: 102435

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 2A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

IDH09G65C5XKSA2

भाग स्टक: 15229

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 9A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 9A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

IDK06G65C5XTMA2

भाग स्टक: 43148

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.8V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

IDH06G65C5XKSA2

भाग स्टक: 22824

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 6A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

GATELEADWHRD394XXPSA1

भाग स्टक: 172