डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 15

BAT 64-02W E6327

भाग स्टक: 537

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAT 60B E6433

भाग स्टक: 491

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS 70-02W E6327

भाग स्टक: 550

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ps,

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BAS 52-02V E6327

भाग स्टक: 550

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 750mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS5202VE6127XT

भाग स्टक: 536

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 750mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAS16WE6433HTMA1

भाग स्टक: 496

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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BAS 16-02W E6327

भाग स्टक: 477

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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BAS 16-02V E6327

भाग स्टक: 526

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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BAW78DE6327HTSA1

भाग स्टक: 204

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1µs,

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BAS70E6327HTSA1

भाग स्टक: 16272

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ps,

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BAT60BE6327HTSA1

भाग स्टक: 113855

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAT6202VH6327XTSA1

भाग स्टक: 120733

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 2mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BAS7002VH6327XTSA1

भाग स्टक: 143336

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ps,

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BAS116E6327HTSA1

भाग स्टक: 175339

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1.5µs,

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BAS3010B03WE6327HTSA1

भाग स्टक: 146342

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAS3005B02VH6327XTSA1

भाग स्टक: 45202

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 620mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS21E6327HTSA1

भाग स्टक: 100627

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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BAS3005A02VH6327XTSA1

भाग स्टक: 51646

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAT6402VH6327XTSA1

भाग स्टक: 157686

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 100mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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BAT5402VH6327XTSA1

भाग स्टक: 105719

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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BAT64E6327HTSA1

भाग स्टक: 51683

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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BAS3010A03WE6327HTSA1

भाग स्टक: 182577

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAT54E6327HTSA1

भाग स्टक: 58747

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAS16E6327HTSA1

भाग स्टक: 152260

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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BAT5403WE6327HTSA1

भाग स्टक: 180255

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAS1603WE6327HTSA1

भाग स्टक: 152583

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

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Infineon Technologies

BAS140WE6327HTSA1

भाग स्टक: 112661

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ps,

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Infineon Technologies

BAT60AE6327HTSA1

भाग स्टक: 152048

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 10V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 370mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS170WE6327HTSA1

भाग स्टक: 101110

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 70mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ps,

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Infineon Technologies

BAS5202VH6327XTSA1

भाग स्टक: 145516

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 750mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BAT165E6327HTSA1

भाग स्टक: 150808

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 750mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 740mV @ 750mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAS2103WE6327HTSA1

भाग स्टक: 131599

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 50ns,

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Infineon Technologies

BAW78DH6327XTSA1

भाग स्टक: 107480

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 1µs,

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Infineon Technologies

BAS3005S02LRHE6327XTSA1

भाग स्टक: 177455

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Infineon Technologies

BAT5402LRHE6327XTSA1

भाग स्टक: 122058

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 5ns,

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Infineon Technologies

BAS4002LE6327XTMA1

भाग स्टक: 186965

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 40mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 100ps,

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