डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 25

MBR60035CTR

भाग स्टक: 971

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060

भाग स्टक: 1363

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CT

भाग स्टक: 1118

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020

भाग स्टक: 990

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CTR

भाग स्टक: 1247

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 125A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CTR

भाग स्टक: 1311

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CT

भाग स्टक: 1516

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A080

भाग स्टक: 3862

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020R

भाग स्टक: 997

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

भाग स्टक: 1601

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030R

भाग स्टक: 1342

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CT

भाग स्टक: 1538

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CT

भाग स्टक: 1162

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020R

भाग स्टक: 1081

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR40060CT

भाग स्टक: 1224

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080R

भाग स्टक: 1843

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CTR

भाग स्टक: 1126

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A12

भाग स्टक: 2471

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.35V @ 120A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CT

भाग स्टक: 1571

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100R

भाग स्टक: 949

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020

भाग स्टक: 1000

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT600150R

भाग स्टक: 892

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST16030

भाग स्टक: 1497

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 160A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

भाग स्टक: 1326

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080R

भाग स्टक: 1388

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300140(A)D

भाग स्टक: 1362

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 300A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT50045R

भाग स्टक: 1141

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A080

भाग स्टक: 2813

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 160A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)D

भाग स्टक: 1406

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MSRT100100(A)D

भाग स्टक: 1929

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURT30010

भाग स्टक: 1148

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR40035CT

भाग स्टक: 1604

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CT

भाग स्टक: 764

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A180

भाग स्टक: 2484

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 180V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 160A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURT10060R

भाग स्टक: 1302

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST100100

भाग स्टक: 1539

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची