डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 25

MBR20040CTR

भाग स्टक: 1522

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

भाग स्टक: 943

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

भाग स्टक: 1136

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 250A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

भाग स्टक: 809

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

भाग स्टक: 3665

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

भाग स्टक: 1190

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

भाग स्टक: 945

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

भाग स्टक: 3068

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 180V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

भाग स्टक: 3870

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 120V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

भाग स्टक: 1240

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

भाग स्टक: 3284

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

भाग स्टक: 4139

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 80A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 80A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

भाग स्टक: 3894

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

भाग स्टक: 1838

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

भाग स्टक: 1368

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

भाग स्टक: 1244

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

भाग स्टक: 1544

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 840mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST16060

भाग स्टक: 1480

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 160A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 160A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

भाग स्टक: 1000

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURT30020

भाग स्टक: 1086

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

भाग स्टक: 1907

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Series Connection, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

भाग स्टक: 1554

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 920mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

भाग स्टक: 956

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 600A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 300A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

भाग स्टक: 1504

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

भाग स्टक: 1881

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 120A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 60A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

भाग स्टक: 1366

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 60V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 800mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

भाग स्टक: 1238

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

भाग स्टक: 1182

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 500A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 880mV @ 250A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

भाग स्टक: 1172

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.7V @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

FST10045

भाग स्टक: 1532

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

भाग स्टक: 1119

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 400A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 200A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

भाग स्टक: 1203

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

भाग स्टक: 2901

डायोड कन्फिगरेसन: 2 Independent, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.35V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

भाग स्टक: 958

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Anode, डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 2.6V @ 200A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

भाग स्टक: 1562

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 200A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 100A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

इच्छा सुची

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

भाग स्टक: 1442

डायोड कन्फिगरेसन: 1 Pair Common Cathode, डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड): 300A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 650mV @ 150A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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