प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 20.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 256,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 2.5V, 3.3V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 1536, गेटहरूको संख्या: 144000,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 2.5V, 3.3V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 3072, गेटहरूको संख्या: 288000,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 256,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 32,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 12.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 192,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 15.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 8.5ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 32,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 20.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 192,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 192,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 15.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 2.5V, 3.3V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 1536, गेटहरूको संख्या: 144000,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 7.5ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 15.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 512,
