प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 15.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 256,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 15.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 2.5V, 3.3V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 512, गेटहरूको संख्या: 48000,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 6.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 32,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 7.5ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 32,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 7.2ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 2.5V, 3.3V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 768, गेटहरूको संख्या: 72000,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 12.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 32,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 256,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 15.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 192,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 7.5ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 2.5V, 3.3V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 1536, गेटहरूको संख्या: 144000,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, तर्क तत्व / ब्लाकहरूको संख्या: 8, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 256,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 7.5ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 256,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 2.5V, 3.3V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 768, गेटहरूको संख्या: 72000,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 7.5ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 12.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 192,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 12.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 32,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 20.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 256,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 12.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.5V ~ 5.5V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 512,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 10.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 12.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 128,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 6.5ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 3V ~ 3.6V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
प्रोग्रामेबल प्रकार: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, ढिलाइ समय tpd (१) अधिकतम: 6.0ns, भोल्टेज आपूर्ति - आन्तरिक: 4.75V ~ 5.25V, म्याक्रोसेल्सको संख्या: 64,
