सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.236" (6mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.050" (1.27mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 125mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.150" (3.81mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.149" (3.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 6mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.150" (3.81mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.150" (3.81mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Transistor, Base-Emitter Resistor,
सेन्सि D दूरी: 0.200" (5.08mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.05" (1.27mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 1" (25.4mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.15" (3.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 40mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.050" (1.27mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.250" (6.35mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.250" (6.35mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.2" (5.08mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 393.701" (10m), सेन्सि Meth विधि: Reflective,
सेन्सि D दूरी: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, सेन्सि Meth विधि: Reflective, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: PIN Photodiode,
सेन्सि D दूरी: 0.210" (5.33mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 2.25V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100µA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 1.5mm, सेन्सि Meth विधि: Reflective, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Photodiode,
सेन्सि D दूरी: 1.5mm, सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 30mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 15mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 30mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.118" (3mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 40mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.118" (3mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.098" (2.5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.039" (1mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, आउटपुट प्रकार: Photodiode,
सेन्सि D दूरी: 0.178" (4.5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.079" ~ 0.866" (2mm ~ 22mm) ADJ, सेन्सि Meth विधि: Reflective, आउटपुट प्रकार: Photodiode,
