सेन्सि D दूरी: 1.5mm, सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 1.5mm, सेन्सि Meth विधि: Reflective, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Photodiode,
सेन्सि D दूरी: 0.050" (1.27mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 125mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.150" (3.81mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.300" (7.62mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Transistor, Base-Emitter Resistor,
सेन्सि D दूरी: 0.200" (5.08mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.050" (1.27mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.149" (3.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.150" (3.81mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.150" (3.81mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 25mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, आउटपुट प्रकार: Transistor,
सेन्सि D दूरी: 0.220" (5.59mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 24V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.236" (6mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.236" (6mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 30mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 10mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.039" (1mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 5V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 700mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 1mA, आउटपुट प्रकार: Transistor,
सेन्सि D दूरी: 0.197" (5mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 15mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.157" (4mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.039" (1mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.039" (1mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 20V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.031" (0.8mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.028" (0.7mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 35V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.200" (5.08mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि D दूरी: 0.040" (1.02mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.250" (6.35mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 15V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, आउटपुट प्रकार: Photodarlington,
सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
सेन्सि D दूरी: 0.2" (5.08mm), सेन्सि Meth विधि: Reflective, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, आउटपुट प्रकार: Phototransistor,
