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ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल

2SC2655-Y(T6CANOFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CANOFM

भाग स्टक: 6951

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

ईच्छाको लागि
2SC2655-Y(6MBH1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

भाग स्टक: 6790

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

ईच्छाको लागि
2SC2655-Y(HIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

भाग स्टक: 7001

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

ईच्छाको लागि
2SC2655-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

भाग स्टक: 7046

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

ईच्छाको लागि
2SC2655-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O,F(J

भाग स्टक: 7041

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

ईच्छाको लागि
2SC2655-O(ND2,AF)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND2,AF)

भाग स्टक: 6981

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 2A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 1A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

ईच्छाको लागि
2SC2482(T6TOJS,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

भाग स्टक: 6736

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

ईच्छाको लागि
2SC2482(FJTN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

भाग स्टक: 6967

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 300V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

ईच्छाको लागि
2SC2383-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

भाग स्टक: 6957

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2383-O,T6ALPF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

भाग स्टक: 6977

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2383-O(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

भाग स्टक: 7010

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 1A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 160V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1.5V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y,T6USNF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6USNF(M

भाग स्टक: 7019

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6KEHF(M

भाग स्टक: 6713

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6F(J

भाग स्टक: 6953

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,F(J

भाग स्टक: 7010

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y,T6ASHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6ASHF(J

भाग स्टक: 6976

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6OMI,FM

भाग स्टक: 7020

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(T6ND,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6ND,AF

भाग स्टक: 7033

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(T6FJT,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,FM

भाग स्टक: 7003

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(T6FJT,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,AF

भाग स्टक: 7043

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(T6CANOFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CANOFM

भाग स्टक: 7009

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(T6CN,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CN,A,F

भाग स्टक: 6993

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(MBSH1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(MBSH1,FM

भाग स्टक: 7012

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(DNSO,AF)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(DNSO,AF)

भाग स्टक: 7039

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-Y(6MBH1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(6MBH1,AF

भाग स्टक: 7029

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O,F(J

भाग स्टक: 6952

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-O(T6FJT,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,FM

भाग स्टक: 6998

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-O(T6FJT,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,AF

भाग स्टक: 6772

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-O(T6ASN,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6ASN,FM

भाग स्टक: 7019

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235-O(FA1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(FA1,F,M)

भाग स्टक: 6974

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2235(T6KMAT,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235(T6KMAT,F,M

भाग स्टक: 6979

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 800mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 120V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 1V @ 50mA, 500mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2229-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y,F(J

भाग स्टक: 6978

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2229-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

भाग स्टक: 6957

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC2229-Y(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

भाग स्टक: 7016

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 150V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 1mA, 10mA, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 100nA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि
2SC3852A
Sanken

2SC3852A

भाग स्टक: 44469

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 3A, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 80V, Vce संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी: 500mV @ 50mA, 2A, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 10µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

ईच्छाको लागि
2N4013
Central Semiconductor Corp

2N4013

भाग स्टक: 27317

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 30V, वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम): 1.7µA (ICBO), DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

ईच्छाको लागि