Isolators - गेट ड्राइभरहरू

SI8271DB-ISR

भाग स्टक: 47363

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

SI8233BB-D-IM

भाग स्टक: 29622

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8235AD-D-ISR

भाग स्टक: 29015

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI82398CD4-ISR

भाग स्टक: 27383

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 135ns, 95ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8232DB-D-IS

भाग स्टक: 44591

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8220BB-D-ISR

भाग स्टक: 56335

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 30kV/µs (Typ), प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 40ns,

SI8261AAC-C-ISR

भाग स्टक: 64413

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI82394AB4-IS1R

भाग स्टक: 36181

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 135ns, 95ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI82398CD-ISR

भाग स्टक: 27428

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8230AD-D-IS3R

भाग स्टक: 56

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 45kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8235BA-D-IS1

भाग स्टक: 36452

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8273BB-IS1R

भाग स्टक: 33641

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

SI8238AD-D-ISR

भाग स्टक: 29004

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8233AD-D-IS3R

भाग स्टक: 87

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 45kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8235BB-D-IM1R

भाग स्टक: 78

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 45kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8287BD-ISR

भाग स्टक: 14694

SI8230BB-D-IS1

भाग स्टक: 40952

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8235BA-D-IS1R

भाग स्टक: 42447

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8261ACC-C-ISR

भाग स्टक: 64384

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI8273DBD-IS1R

भाग स्टक: 33636

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

SI82394CD-ISR

भाग स्टक: 27389

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8274AB4D-IS1R

भाग स्टक: 33622

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 105ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 47ns,

SI8235AD-D-IS3R

भाग स्टक: 82

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 45kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8274GB4D-IS1R

भाग स्टक: 33644

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 105ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 47ns,

SI82396BB-IS1R

भाग स्टक: 36233

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8286BC-ISR

भाग स्टक: 101

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 50ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5ns,

SI8230AB-D-IS1R

भाग स्टक: 49483

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8220BD-D-ISR

भाग स्टक: 44769

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 30kV/µs (Typ), प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 40ns,

SI8261AAD-C-ISR

भाग स्टक: 48903

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI82391BB-IS1R

भाग स्टक: 36225

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8232AB-D-IS1R

भाग स्टक: 49519

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8238BD-D-IS

भाग स्टक: 23993

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI82394CD4-ISR

भाग स्टक: 27354

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 135ns, 95ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8261BCA-C-ISR

भाग स्टक: 75114

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 10ns (Typ),

SI8234AB-D-IS1R

भाग स्टक: 36825

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8273ABD-IS1R

भाग स्टक: 33656

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 200kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 75ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,