Isolators - गेट ड्राइभरहरू

SI82395BD-ISR

भाग स्टक: 27374

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI82394BD-ISR

भाग स्टक: 27404

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI82398CB4-IS1R

भाग स्टक: 36209

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 135ns, 95ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8235AB-D-IS1R

भाग स्टक: 36896

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8261ACA-C-ISR

भाग स्टक: 82531

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 10ns (Typ),

SI82396AD-ISR

भाग स्टक: 27366

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8233CB-D-IMR

भाग स्टक: 35705

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8233CB-D-IM

भाग स्टक: 30713

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI82396AB-IS1R

भाग स्टक: 36170

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8231BD-D-ISR

भाग स्टक: 39365

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8232AB-D-ISR

भाग स्टक: 51940

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8238AD-D-IS3R

भाग स्टक: 121

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 45kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8261ABC-C-ISR

भाग स्टक: 64405

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI8282BC-ISR

भाग स्टक: 121

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 50ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5ns,

SI8261ABD-C-ISR

भाग स्टक: 48844

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI8261BBC-C-ISR

भाग स्टक: 58602

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI82394CD4-IS

भाग स्टक: 24827

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 135ns, 95ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8234AB-D-IMR

भाग स्टक: 35643

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8274DB1-IS1R

भाग स्टक: 33658

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 19ns,

SI8233BB-D-IS1R

भाग स्टक: 36851

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8271AB-ISR

भाग स्टक: 47378

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

SI8233BB-D-IM1R

भाग स्टक: 72

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 45kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8261AAC-C-IPR

भाग स्टक: 51086

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI82392BB-IS1R

भाग स्टक: 86

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 100kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8271BB-ISR

भाग स्टक: 47338

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 8ns,

SI8287CD-ISR

भाग स्टक: 14660

SI8261ABA-C-IS

भाग स्टक: 59628

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 10ns (Typ),

SI82395CD-ISR

भाग स्टक: 27422

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8231AB-D-IS

भाग स्टक: 44562

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI8220CB-D-ISR

भाग स्टक: 56338

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 30kV/µs (Typ), प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 40ns,

SI8752AB-ASR

भाग स्टक: 44427

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 20kV/µs,

SI8261BCD-C-ISR

भाग स्टक: 44423

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 50ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 28ns,

SI8274BB1-IS1R

भाग स्टक: 33628

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 2500Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 150kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 75ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 19ns,

SI8221CC-D-ISR

भाग स्टक: 49872

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 1, भोल्टेज - अलगाव: 3750Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 30kV/µs (Typ), प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 40ns,

SI8230BD-D-IS3R

भाग स्टक: 42

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 45kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 60ns, 60ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,

SI82396BD-ISR

भाग स्टक: 27422

टेक्नोलोजी: Capacitive Coupling, च्यानलहरूको संख्या: 2, भोल्टेज - अलगाव: 5000Vrms, सामान्य मोड अस्थायी प्रतिरक्षा (न्यूनतम): 35kV/µs, प्रचार ढिलाइ tpLH / tpHL (अधिकतम): 40ns, 40ns, नाडी चौड़ाई विकृति (अधिकतम): 5.6ns,