फाइबर अप्टिक्स - ट्रान्समिटर - अलग

OPF694-2

भाग स्टक: 4855

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V (Max), वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF395C

भाग स्टक: 9557

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.8V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF372C

भाग स्टक: 9601

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF693-2

भाग स्टक: 4272

Waveleight: 850nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.8V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF340C

भाग स्टक: 9601

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF670-1

भाग स्टक: 9613

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V (Max), वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF342A

भाग स्टक: 3878

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF342C

भाग स्टक: 9539

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF397D

भाग स्टक: 9594

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF322B

भाग स्टक: 9535

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

LTDL-TA16A

भाग स्टक: 168078

Waveleight: 650nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.75V ~ 5.25V,

HFBR-1412TZ

भाग स्टक: 3686

Waveleight: 820nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1.8V, Capacitance: 55pF,

SP000063871

भाग स्टक: 6984

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 25nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 30pF,

SP000063858

भाग स्टक: 5692

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 25nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 30pF,

HFBR-1414PTZ

भाग स्टक: 3668

Waveleight: 820nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, Capacitance: 55pF,

SP000063814

भाग स्टक: 5796

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 25nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 50mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 30pF,

HFBR-1414PZ

भाग स्टक: 3634

Waveleight: 850nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, Capacitance: 55pF,

HFBR-1531Z

भाग स्टक: 5972

Waveleight: 600nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.02V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 86pF,

HFBR-1506AM

भाग स्टक: 9536

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-772BHWZ

भाग स्टक: 9626

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 0.4nm, Capacitance: 0.1µF,

HFBR-1537Z

भाग स्टक: 5923

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-1412PZ

भाग स्टक: 3645

Waveleight: 820nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, Capacitance: 55pF,

LNA4402L

भाग स्टक: 9543

Waveleight: 680nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.6V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V,

V850-2173-001

भाग स्टक: 2150

TOTX1350(V,F)

भाग स्टक: 5287

Waveleight: 650nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.8V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V,

TOTX1350(F)

भाग स्टक: 7017

Waveleight: 650nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.8V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V,

HFX7000-200

भाग स्टक: 9554

वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.9V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA,

IF-E97

भाग स्टक: 11271

Waveleight: 660nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 40nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 30pF,