फाइबर अप्टिक्स - ट्रान्समिटर - अलग

HFBR-2532ETZ

भाग स्टक: 5200

Waveleight: 660nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.67V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 6mA, Capacitance: 86pF,

HFBR-1521ETZ

भाग स्टक: 6240

Waveleight: 660nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.67V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 86pF,

HFBR-1414MZ

भाग स्टक: 3708

Waveleight: 820nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1.8V, Capacitance: 55pF,

HFBR-1526Z

भाग स्टक: 9617

HFBR-1527ETZ

भाग स्टक: 5427

Waveleight: 660nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.67V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 86pF,

HFBR-1506AFZ

भाग स्टक: 5282

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-779BEWZ

भाग स्टक: 9584

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 0.4nm, Capacitance: 0.1µF,

HFBR-1515BFZ

भाग स्टक: 3481

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-1524

भाग स्टक: 9616

Waveleight: 600nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.67V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 86pF,

HFBR-1414TZ

भाग स्टक: 3636

Waveleight: 820nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1.8V, Capacitance: 55pF,

HFBR-1505AFZ

भाग स्टक: 3572

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-1522

भाग स्टक: 9539

Waveleight: 600nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.67V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 86pF,

HFBR-1527Z

भाग स्टक: 6179

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-14E4Z

भाग स्टक: 3328

Waveleight: 820nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1.8V, Capacitance: 55pF,

HFBR-1505C

भाग स्टक: 9616

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-1541ETZ

भाग स्टक: 5239

Waveleight: 660nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 5V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 86pF,

HFBR-779BWZ

भाग स्टक: 9595

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 0.4nm, Capacitance: 0.1µF,

HFBR-1515BZ

भाग स्टक: 4762

Waveleight: 650nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 21nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3V, Capacitance: 60pF,

HFBR-1602Z

भाग स्टक: 3705

Waveleight: 655nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.9V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V, Capacitance: 30pF,

HFBR-1415TZ

भाग स्टक: 6011

Waveleight: 820nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.7V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 60mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3.8V,

PLT132

भाग स्टक: 157432

Waveleight: 660nm,

OPF672-1

भाग स्टक: 9607

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V (Max), वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF345D

भाग स्टक: 9535

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF392B

भाग स्टक: 9534

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF397B

भाग स्टक: 9599

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF322C

भाग स्टक: 9541

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF693-1

भाग स्टक: 9629

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.1V (Max), वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF342B

भाग स्टक: 9537

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

OPF397C

भाग स्टक: 9556

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 35nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1V,

GP1FP514TK0F

भाग स्टक: 9594

SFH350

भाग स्टक: 9582

Waveleight: 850nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 400nm, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, Capacitance: 21.5pF,

HFX6015-200

भाग स्टक: 9546

Waveleight: 350nm, वर्णक्रिया ब्यान्डविथ: 20nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 1.9V, वर्तमान - DC अगाडि (यदि) (अधिकतम): 40mA, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 5V,

LTDL-TA25A/L3

भाग स्टक: 142864

Waveleight: 650nm, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (प्रकार): 2.75V ~ 5.25V,

LTDL-TA25B-T

भाग स्टक: 150353

Waveleight: 650nm,

LTDL-TA25B-T1

भाग स्टक: 122128

Waveleight: 650nm,

V940-2295-001

भाग स्टक: 32957