डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

120NQ040

भाग स्टक: 155

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

120NQ045

भाग स्टक: 107

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

120NQ035

भाग स्टक: 154

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 120A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 120A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

18TQ035S

भाग स्टक: 144

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 18A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

12TQ035S

भाग स्टक: 151

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

12TQ045S

भाग स्टक: 155

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 560mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

10TQ035S

भाग स्टक: 130

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 35V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

10TQ045S

भाग स्टक: 130

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 570mV @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

150KS5

भाग स्टक: 62

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 471A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

150L40A

भाग स्टक: 117

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 471A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

10ETS12S

भाग स्टक: 97

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 10A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

10ETS12FP

भाग स्टक: 108

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 10A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

10ETS08FP

भाग स्टक: 36

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 10A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

10ETF12

भाग स्टक: 94

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 310ns,

10ETS12

भाग स्टक: 117

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 10A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

10ETF10

भाग स्टक: 5083

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 10A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 310ns,

19TQ015STRL

भाग स्टक: 5042

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 19A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 360mV @ 19A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

19TQ015S

भाग स्टक: 10049

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 19A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 360mV @ 19A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

18TQ045S

भाग स्टक: 5024

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 45V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 18A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 600mV @ 18A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

1N5308-1

भाग स्टक: 58

1N5301-1

भाग स्टक: 63

1N5296-1

भाग स्टक: 135

1N5294-1

भाग स्टक: 5048

1N5288-1

भाग स्टक: 66

1N5292-1

भाग स्टक: 47

1N5286-1

भाग स्टक: 5031

1N5287-1

भाग स्टक: 112

1N5307-1

भाग स्टक: 96

1N5293-1

भाग स्टक: 88

1N5299-1

भाग स्टक: 61

1N5284-1

भाग स्टक: 47

1N6621

भाग स्टक: 6971

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 440V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 1.2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,

1N6541

भाग स्टक: 4327

1N5811TR

भाग स्टक: 10068

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 875mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,

10A01-T

भाग स्टक: 100001

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 10A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 10A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

1N4448WS-7

भाग स्टक: 10071

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 250mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.25V @ 150mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,