डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

1N5812

भाग स्टक: 1641

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 20A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 950mV @ 20A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 15ns,

1N3899R

भाग स्टक: 1565

1N3909A

भाग स्टक: 1591

1N3910AR

भाग स्टक: 1649

1N3913AR

भाग स्टक: 1567

1N3913

भाग स्टक: 1646

1N3910

भाग स्टक: 1599

1N3901R

भाग स्टक: 5198

1N3900R

भाग स्टक: 1607

1N3912AR

भाग स्टक: 1601

1N3909

भाग स्टक: 1598

1N3909AR

भाग स्टक: 1633

1N3913R

भाग स्टक: 1591

1N3911R

भाग स्टक: 1592

1N3912

भाग स्टक: 1554

1N3910A

भाग स्टक: 1602

1SS244T-72

भाग स्टक: 1725

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 220V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 75ns,

1SS133T-72

भाग स्टक: 1704

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 80V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 130mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

1SR153-400T-31

भाग स्टक: 1723

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 800mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 400ns,

1SR139-600T-31

भाग स्टक: 1743

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

1SR124-400AT-82

भाग स्टक: 1665

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 400ns,

1SR124-400AT-81

भाग स्टक: 1654

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 400ns,

1N4936

भाग स्टक: 198230

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 150ns,

1N5393

भाग स्टक: 1697

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.5A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 1.5A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

1N485B

भाग स्टक: 174057

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 100mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

19TQ015STR

भाग स्टक: 121570

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 15V, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 360mV @ 19A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

12TQ150

भाग स्टक: 106179

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 150V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 860mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

1N5626GP-E3/54

भाग स्टक: 1621

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 3A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

1N5620GPHE3/73

भाग स्टक: 1693

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

1N5624GP-E3/54

भाग स्टक: 5181

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 3A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

1N5614GP-E3/54

भाग स्टक: 5214

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

1PS70SB20,115

भाग स्टक: 167537

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 500mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 550mV @ 500mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

1N8035-GA

भाग स्टक: 457

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 14.6A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

1N8034-GA

भाग स्टक: 435

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 9.4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.34V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

1N8028-GA

भाग स्टक: 456

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 9.4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 10A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,

1N8031-GA

भाग स्टक: 472

डायोड प्रकार: Silicon Carbide Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 650V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 1A, गति: No Recovery Time > 500mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 0ns,