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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

भाग स्टक: 168864

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

भाग स्टक: 2917

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

भाग स्टक: 4336

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

भाग स्टक: 12061

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

ईच्छाको लागि
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

भाग स्टक: 9557

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

ईच्छाको लागि
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

भाग स्टक: 14337

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 35A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

भाग स्टक: 7092

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

भाग स्टक: 15967

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

भाग स्टक: 10679

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

भाग स्टक: 11089

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 40A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 40A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

भाग स्टक: 7743

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

भाग स्टक: 5530

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

भाग स्टक: 35775

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

ईच्छाको लागि
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

भाग स्टक: 6439

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

भाग स्टक: 6262

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 300mA (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 4ns,

ईच्छाको लागि
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

भाग स्टक: 5407

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1.2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 1.2A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 45ns,

ईच्छाको लागि
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

भाग स्टक: 6351

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 875mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 25ns,

ईच्छाको लागि
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

भाग स्टक: 6290

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

भाग स्टक: 1677

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 2A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 37.7A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,

ईच्छाको लागि
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

भाग स्टक: 5411

डायोड प्रकार: Standard, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 4A (DC), भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 200mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 3µs,

ईच्छाको लागि
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

भाग स्टक: 8604

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 3A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

भाग स्टक: 7627

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 1A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

भाग स्टक: 6582

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

ईच्छाको लागि
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

भाग स्टक: 24811

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 75V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 200mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 50mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, उल्टो रिकभरी समय (trr): 20ns,

ईच्छाको लागि
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

भाग स्टक: 9843

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.6V @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 250ns,

ईच्छाको लागि
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

भाग स्टक: 5319

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 9A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 150ns,

ईच्छाको लागि
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

भाग स्टक: 6580

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 875mV @ 4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 30ns,

ईच्छाको लागि
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

भाग स्टक: 6400

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

भाग स्टक: 7979

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 70V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 33mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1V @ 15mA, गति: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ईच्छाको लागि
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

भाग स्टक: 10754

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.3V @ 3A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

भाग स्टक: 7965

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 9A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2µs,

ईच्छाको लागि
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

भाग स्टक: 643

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 500mV @ 3A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

भाग स्टक: 90011

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 450mV @ 1A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

भाग स्टक: 90043

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 3A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 9.4A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

भाग स्टक: 7939

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 3000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 600mA, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 5V @ 250mA, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 2.5µs,

ईच्छाको लागि
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

भाग स्टक: 2626

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 1A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 750mV @ 3A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि