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डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल

1N3890R
GeneSiC Semiconductor

1N3890R

भाग स्टक: 13730

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

ईच्छाको लागि
1N4594
GeneSiC Semiconductor

1N4594

भाग स्टक: 3451

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N4596
GeneSiC Semiconductor

1N4596

भाग स्टक: 3402

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3291AR
GeneSiC Semiconductor

1N3291AR

भाग स्टक: 3417

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3891R
GeneSiC Semiconductor

1N3891R

भाग स्टक: 16921

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 12A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

ईच्छाको लागि
1N4590R
GeneSiC Semiconductor

1N4590R

भाग स्टक: 3412

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3880R
GeneSiC Semiconductor

1N3880R

भाग स्टक: 13811

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

ईच्छाको लागि
1N3209
GeneSiC Semiconductor

1N3209

भाग स्टक: 13529

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3213
GeneSiC Semiconductor

1N3213

भाग स्टक: 11107

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 15A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3880
GeneSiC Semiconductor

1N3880

भाग स्टक: 14083

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 6A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.4V @ 6A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), उल्टो रिकभरी समय (trr): 200ns,

ईच्छाको लागि
1N2129AR
GeneSiC Semiconductor

1N2129AR

भाग स्टक: 13690

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N4594R
GeneSiC Semiconductor

1N4594R

भाग स्टक: 3438

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3767
GeneSiC Semiconductor

1N3767

भाग स्टक: 9608

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 900V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 35A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N2135A
GeneSiC Semiconductor

1N2135A

भाग स्टक: 9653

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3673A
GeneSiC Semiconductor

1N3673A

भाग स्टक: 14041

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 1000V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1183
GeneSiC Semiconductor

1N1183

भाग स्टक: 10080

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 35A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N2137A
GeneSiC Semiconductor

1N2137A

भाग स्टक: 9613

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 500V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N2128A
GeneSiC Semiconductor

1N2128A

भाग स्टक: 11407

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N5830R
GeneSiC Semiconductor

1N5830R

भाग स्टक: 5593

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1200AR
GeneSiC Semiconductor

1N1200AR

भाग स्टक: 33046

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3291A
GeneSiC Semiconductor

1N3291A

भाग स्टक: 3466

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N5830
GeneSiC Semiconductor

1N5830

भाग स्टक: 5574

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 25V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N5827
GeneSiC Semiconductor

1N5827

भाग स्टक: 5625

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 30V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 15A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 470mV @ 15A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N2138A
GeneSiC Semiconductor

1N2138A

भाग स्टक: 10413

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
150K20A
GeneSiC Semiconductor

150K20A

भाग स्टक: 3464

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N5829
GeneSiC Semiconductor

1N5829

भाग स्टक: 5641

डायोड प्रकार: Schottky, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 20V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 25A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 580mV @ 25A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N4593
GeneSiC Semiconductor

1N4593

भाग स्टक: 3414

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1202A
GeneSiC Semiconductor

1N1202A

भाग स्टक: 14566

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
150K60A
GeneSiC Semiconductor

150K60A

भाग स्टक: 3470

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 600V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N6098R
GeneSiC Semiconductor

1N6098R

भाग स्टक: 5580

डायोड प्रकार: Schottky, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 40V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 50A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 700mV @ 50A, गति: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1184R
GeneSiC Semiconductor

1N1184R

भाग स्टक: 12133

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 100V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 35A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N1199AR
GeneSiC Semiconductor

1N1199AR

भाग स्टक: 23979

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 50V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 12A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 12A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3294A
GeneSiC Semiconductor

1N3294A

भाग स्टक: 3476

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 800V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 100A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.5V @ 100A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
150KR40A
GeneSiC Semiconductor

150KR40A

भाग स्टक: 3450

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 400V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 150A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.33V @ 150A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N3767R
GeneSiC Semiconductor

1N3767R

भाग स्टक: 9573

डायोड प्रकार: Standard, Reverse Polarity, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 900V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 35A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.2V @ 35A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि
1N2131A
GeneSiC Semiconductor

1N2131A

भाग स्टक: 8790

डायोड प्रकार: Standard, भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम): 200V, वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io): 60A, भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि: 1.1V @ 60A, गति: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ईच्छाको लागि