ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 100

NX7002BKXBZ

भाग स्टक: 151844

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 260mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XP,115

भाग स्टक: 189968

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 2.9A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKSH

भाग स्टक: 194648

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 350mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Nexperia USA Inc.

NX6020CAKSX

भाग स्टक: 2501

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 170mA (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF7504TRPBF

भाग स्टक: 176860

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IRF7304TRPBF

भाग स्टक: 196744

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 700mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Infineon Technologies

IPG20N06S415AATMA1

भाग स्टक: 108935

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 20µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI1024X-T1-GE3

भाग स्टक: 185794

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 485mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

भाग स्टक: 171457

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 58 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 900mV @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3

भाग स्टक: 117470

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A, 35A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SQ4940AEY-T1_GE3

भाग स्टक: 158519

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 24 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI4925DDY-T1-GE3

भाग स्टक: 189530

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 29 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

भाग स्टक: 117423

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 40A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

भाग स्टक: 100159

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 13.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SQJQ906EL-T1_GE3

भाग स्टक: 63261

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 160A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 4.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SQJ958EP-T1_GE3

भाग स्टक: 2544

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-GE3

भाग स्टक: 63492

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-GE3

भाग स्टक: 103126

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

भाग स्टक: 70505

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 100V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 36.7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SQJB42EP-T1_GE3

भाग स्टक: 152436

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 30A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-E3

भाग स्टक: 190258

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.4V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

भाग स्टक: 163064

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A, 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

भाग स्टक: 196980

FET प्रकार: N and P-Channel, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.5A,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

भाग स्टक: 69246

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

भाग स्टक: 181504

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

NTMFD4C88NT3G

भाग स्टक: 40053

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 11.7A, 14.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.2V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

NVMFD5483NLT3G

भाग स्टक: 73044

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 6.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

MCH6663-TL-H

भाग स्टक: 186117

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 1.8A, 1.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

भाग स्टक: 146068

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 50V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 360mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

भाग स्टक: 125578

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, 4.5V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, 2.8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

भाग स्टक: 135796

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.6V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

भाग स्टक: 175270

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 100µA,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

MTM78E2B0LBF

भाग स्टक: 117955

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 25 mOhm @ 2A, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.3V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

UP0187B00L

भाग स्टक: 2665

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 100mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 1µA,

ईच्छाको लागि

Texas Instruments

CSD87588N

भाग स्टक: 140862

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 25A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.9V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Micro Commercial Co

SIL2623-TP

भाग स्टक: 2508

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि