ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू

SP8J66TB1

भाग स्टक: 59328

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9A,

ईच्छाको लागि

SH8M2TB1

भाग स्टक: 104614

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

QH8KA2TCR

भाग स्टक: 115998

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

QS8J5TR

भाग स्टक: 118611

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 5A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

QS8J2TR

भाग स्टक: 191347

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, 1.5V Drive, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 12V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

Texas Instruments

CSD87330Q3D

भाग स्टक: 109566

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Texas Instruments

CSD86330Q3D

भाग स्टक: 82595

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 25V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 20A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 9.6 mOhm @ 14A, 8V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

Texas Instruments

CSD87351Q5D

भाग स्टक: 82196

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 32A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI7946ADP-T1-GE3

भाग स्टक: 2605

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 150V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.7A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI4943CDY-T1-GE3

भाग स्टक: 89672

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI7232DN-T1-GE3

भाग स्टक: 199705

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 25A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI7938DP-T1-GE3

भाग स्टक: 98652

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.8 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI1900DL-T1-E3

भाग स्टक: 163022

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 590mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SQJ980AEP-T1_GE3

भाग स्टक: 152466

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 75V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 17A (Tc), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

SI7994DP-T1-GE3

भाग स्टक: 37667

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Standard, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 60A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

EPC

EPC2111

भाग स्टक: 48430

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 16A (Ta), Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 5mA,

ईच्छाको लागि

EPC

EPC2110ENGRT

भाग स्टक: 67578

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 120V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 700µA,

ईच्छाको लागि

EPC

EPC2101

भाग स्टक: 21570

FET प्रकार: 2 N-Channel (Half Bridge), FET फिचर: GaNFET (Gallium Nitride), स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 9.5A, 38A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

ईच्छाको लागि

ZXMHC3F381N8TC

भाग स्टक: 158568

FET प्रकार: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.98A, 3.36A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMP3098LSD-13

भाग स्टक: 100979

FET प्रकार: 2 P-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 4.4A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMC2038LVT-7

भाग स्टक: 126085

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 3.7A, 2.6A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMC4015SSD-13

भाग स्टक: 158558

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 40V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.6A, 6.2A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 3V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMC2020USD-13

भाग स्टक: 192882

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 20V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 7.8A, 6.3A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 1.5V @ 250µA,

ईच्छाको लागि

DMN601DMK-7

भाग स्टक: 108557

FET प्रकार: 2 N-Channel (Dual), FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 60V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 510mA, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.5V @ 1mA,

ईच्छाको लागि

DMC3021LSD-13

भाग स्टक: 164162

FET प्रकार: N and P-Channel, FET फिचर: Logic Level Gate, स्रोत भोल्टेज (Vdss) मा निकासी: 30V, हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस: 8.5A, 7A, Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी: 2.1V @ 250µA,

ईच्छाको लागि