मेमोरी साइज: 9M (256K x 36), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 83MHz, 200MHz, पहुँच समय: 10ns, 3.6ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 90mA,
मेमोरी साइज: 9M (512K x 18)(1M x 9), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 83MHz, 200MHz, पहुँच समय: 10ns, 3.6ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 70mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 72), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 83MHz, 200MHz, पहुँच समय: 10ns, 3.6ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 9M (512K x 18)(1M x 9), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 66MHz, 150MHz, पहुँच समय: 12ns, 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 70mA,
मेमोरी साइज: 9M (256K x 36), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 66MHz, 150MHz, पहुँच समय: 12ns, 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 90mA,
मेमोरी साइज: 2.25M (32K x 72), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 83MHz, 200MHz, पहुँच समय: 10ns, 3.6ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 9M (128K x 72), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 50MHz, 100MHz, पहुँच समय: 14ns, 4.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 72K (8K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 25MHz, पहुँच समय: 30ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 150mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 83MHz, 200MHz, पहुँच समय: 10ns, 3.6ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 70mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 100MHz, 225MHz, पहुँच समय: 8ns, 3.4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 70mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (128K x 36), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 100MHz, 225MHz, पहुँच समय: 8ns, 3.4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 90mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (128K x 36), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 83MHz, 200MHz, पहुँच समय: 10ns, 3.6ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 90mA,
मेमोरी साइज: 72K (8K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 33.3MHz, पहुँच समय: 20ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 150mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 72), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 66MHz, 150MHz, पहुँच समय: 12ns, 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 4.7M (131K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 4.7M (131K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 166MHz, पहुँच समय: 4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 35mA,
मेमोरी साइज: 144K (16K x 9), समारोह: Asynchronous, डाटा दर: 25MHz, पहुँच समय: 30ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 4.5V ~ 5.5V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 150mA,
मेमोरी साइज: 2.25M (32K x 72), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 66MHz, 150MHz, पहुँच समय: 12ns, 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (64K x 72), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 50MHz, 100MHz, पहुँच समय: 14ns, 4.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 9M (256K x 36), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 50MHz, 100MHz, पहुँच समय: 14ns, 4.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 90mA,
मेमोरी साइज: 9M (512K x 18)(1M x 9), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 50MHz, 100MHz, पहुँच समय: 14ns, 4.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 70mA,
मेमोरी साइज: 1.125M (16K x 72), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 100MHz, 225MHz, पहुँच समय: 8ns, 3.4ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 130mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (256K x 18), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 100MHz, पहुँच समय: 6.5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3V ~ 3.6V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 60mA,
मेमोरी साइज: 4.7M (131K x 36), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 40mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (512K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 66.7MHz, पहुँच समय: 10ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 55mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), समारोह: Synchronous, डाटा दर: 133.3MHz, पहुँच समय: 5ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 3.15V ~ 3.45V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 30mA,
मेमोरी साइज: 4.5M (256K x 18)(512K x 9), समारोह: Asynchronous, Synchronous, डाटा दर: 66MHz, 150MHz, पहुँच समय: 12ns, 3.8ns, भोल्टेज - आपूर्ति: 2.375V ~ 2.625V, वर्तमान - आपूर्ति (अधिकतम): 70mA,
