ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपोलर (बीज्ट) - एकल, पूर्व-पक् | असक्रिय अर्धचालक उत्पादनहरू | 88

DTC143ZM3T5G

भाग स्टक: 180227

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

NSVDTA143EM3T5G

भाग स्टक: 189405

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

FJY4002R

भाग स्टक: 119045

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

SMUN5112T1G

भाग स्टक: 138503

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

MUN5131T1

भाग स्टक: 2009

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 2.2 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

SDTC114EET1G

भाग स्टक: 108480

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

FJV3104RMTF

भाग स्टक: 193521

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

ON Semiconductor

SMUN5235T1G

भाग स्टक: 100190

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Micro Commercial Co

DTA124EUA-TP

भाग स्टक: 158628

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

DTB513ZETL

भाग स्टक: 165303

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 12V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

DTB113ESTP

भाग स्टक: 1923

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 500mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 1 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 1 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

DTC114TKAT146

भाग स्टक: 183649

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

DTC144ESATP

भाग स्टक: 1940

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 30mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

DTC015TUBTL

भाग स्टक: 104023

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

DTA143TCAT116

भाग स्टक: 183873

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms,

ईच्छाको लागि

Rohm Semiconductor

DTA115EETL

भाग स्टक: 108220

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 20mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTA144WKA-7-F

भाग स्टक: 1916

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTC123YE-7-F

भाग स्टक: 2172

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTA123JUA-7

भाग स्टक: 2023

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTC144ECA-7-F

भाग स्टक: 195579

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTC143FKA-7-F

भाग स्टक: 1940

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 4.7 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTC115EKA-7-F

भाग स्टक: 1945

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTC123JKA-7-F

भाग स्टक: 1891

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Diodes Incorporated

DDTA144GUA-7-F

भाग स्टक: 173282

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Nexperia USA Inc.

PDTC114ET/DG/B2,21

भाग स्टक: 3214

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Nexperia USA Inc.

PDTC144WT,215

भाग स्टक: 151833

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 22 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

NXP USA Inc.

PDTA144ES,126

भाग स्टक: 1977

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

NXP USA Inc.

PDTA115TS,126

भाग स्टक: 1975

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

ईच्छाको लागि

NXP USA Inc.

PDTA123YK,115

भाग स्टक: 1995

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 2.2 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

UNR9114G0L

भाग स्टक: 1940

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

UNR921KG0L

भाग स्टक: 1920

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 4.7 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

UNR921BG0L

भाग स्टक: 1970

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 100 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

UNR9110J0L

भाग स्टक: 138888

ट्रान्जिस्टर प्रकार: PNP - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

DRC9124X0L

भाग स्टक: 123766

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 100mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 22 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 47 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Panasonic Electronic Components

UNR92A1G0L

भाग स्टक: 2019

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, प्रतिरोधकर्ता - इमिटर बेस (R2): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

ईच्छाको लागि

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

भाग स्टक: 1945

ट्रान्जिस्टर प्रकार: NPN - Pre-Biased, वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम): 80mA, भोल्टेज - कलेक्टर ईमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम): 50V, प्रतिरोधक - बेस (R1): 10 kOhms, DC वर्तमान लाभ (hFE) (न्यूनतम) @ आईसी, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

ईच्छाको लागि